Тонкопленочная интегральная микросхема
Cтраница 1
Тонкопленочные интегральные микросхемы получают осаждением пленок различных материалов на изоляционную подложку, в качестве которой наиболее часто используют боросиликатное стекло и и ситалл. Функциональные узлы получают в результате последовательного осаждения на подложку тонких пленок проводниковых, диэлектрических, полупроводниковых, магнитных и магнитодиэлектрических материалов из газопаровой фазы в вакууме. Для получения рисунка схемы используются специальные металлические маски. Ведется непрерывный контроль параметров образующихся элементов. Испарение осаждаемых материалов получается при нагревании их с помощью подогревателей, электронной бомбардировки или лазерного излучения. [1]
Основной Недостаток тонкопленочных интегральных микросхем - невозможность изготовления в настоящее время по тонкопленочной технологии активных элементов схемы. Это связано с трудностью получения монокристаллических полупроводниковых пленок на аморфных и поликристаллических подложках, обычно применяемых для тонкопленочных микросхем. [2]
 |
Вакуумная камера для нанесения ТОНКИХ ПЛеНОК ТерМИЧеСКИМ ИС. [3] |
Рассмотрим технологию изготовления тонкопленочных интегральных микросхем наиболее распространенным способом - термическим испарением металла в вакуумной камере. Вакуумная камера ( рис. 19) состоит из колпака 3, под которым с помощью вакуумного 5 и диффузионного 6 насосов создается необходимое разрежение. Под колпак помещают распыляемое вещество 4 с нагревателем. [4]
Отработаны и доведены до серийного производства тонкопленочные интегральные микросхемы. Поскольку имеются принципиальные трудности в создании надежных активных элементов в тонкопленочном исполнении, наиболее широко используются гибридно-пленочные микросхемы, пассивные элементы которых изготавливают средствами тонкопленочной технологии, а активные дискретные компоненты соединены с ними методами микроконтактирования. В гибридных микросхемах для создания массивных компонентов могут быть использованы и толстые пленки ( толщиной до 25 - 50 мкм) на керамической подложке. Такие схемы называются гибридными толстопленочными. [5]
В металлополимерном корпусе типа Пенал ( рис. к) размещается гибридная тонкопленочная интегральная микросхема. [6]
В металлостеклянном корпусе типа Вага 1Б ( рис. м) расположена гибридная тонкопленочная интегральная микросхема. [7]
Металлополимерный корпус типа Акция ( см. рис. л) содержит в своем составе гибридную тонкопленочную интегральную микросхему. [8]
Особенности технологии изготовления микросхем определяют и специфику их чертежей. При изготовлении гибридной тонкопленочной интегральной микросхемы разрабатывают чертежи многослойных плат. На этих чертежах показывают размещение и фэрму элементов и их соединений. [9]
По механической прочности ситаллы превосходят все керамические материалы и даже металлы. Это позволяет широко применять ситаллы в качестве механически прочных изоляционных оснований для тонкопленочных интегральных микросхем. Это позволяет применять ситаллы также для обтекателей антенн летательных аппаратов и других радиодеталей с повышенной механической и термической прочностью. [10]
В последние годы усложняются условия, в которых должны работать полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы. Если недавно предельная температура ограничивалась значением - 80 С, то теперь рабочие температуры понижаются до - 200 С и даже до - 270 С. Этим объясняется интерес ученых к исследованиям свойств полупроводников в области низких температур. Создан ряд тонкопленочных интегральных микросхем памяти и логики с быстродействием 10-и с, работающих почти без выделения тепла. Развивается интегральная криоэлектроника инфракрасного диапазона - приборы с зарядовой связью, ИК-лазеры, интегральные микросхемы СВЧ-усилителей, фильтров, смесителей. [11]
Использование корреляционного анализа позволяет определить с достаточной долей достоверности форму связей между производственными погрешностями и выходным параметром, дать их количественную оценку и найти погрешность изменения выходного параметра. Статистические связи занимают промежуточное положение между функциональной зависимостью и независимостью. Эти связи обусловлены общностью технологического процесса, настройки, оборудования. Например, при напылении пленочных резисторов в партии тонкопленочных интегральных микросхем между резисторами может быть обнаружена статистическая связь. Корреляционная зависимость является наиболее важным случаем статистической зависимости. При этом одна из двух случайных величин реагирует на изменение другой изменением своего математического ожидания. [12]
Страницы: 1