Оптоэлектронная микросхема
Cтраница 1
Оптоэлектронная микросхема на рис. 5 - 17, в имеет S-образную ВАХ. Если разность потенциалов на входных клеммах каскада невелика, то транзистор и компоненты оптопары закрыты. По мере повышения напряжения f / i.X разность потенциалов на эмиттерном р - - переходе транзистора возрастает и достигает порогового значения. Далее коллекторный ток этого транзистора резко увеличивается и возбуждает светодиод. Появляется заметный ток фототранзистора, способствующий еще большему отпиранию транзистора. В этом режиме транзисторный оптрон и транзистор эффективно взаимодействуют, образуя замкнутую петлю положительной обратной связи, благодаря чему и формируется падающий участок ВАХ каскада. [1]
 |
Регенеративный оптрон.| Характеристики некоторых отечественных оптопар. [2] |
Оптоэлектронные микросхемы представляют собой один из наиболее широко применяемых, развивающихся, перспективных классов изделий оптронной техники. Это обусловлено полной электрической и конструктивной совместимостью оптоэлектронных микросхем с традиционными микросхемами, а также их более широкими по сравнению с элементарными оптопарами функциональными возможностями. [3]
 |
Регенеративный оптрон.| Характеристики некоторых отечественных оптопар. [4] |
Оптоэлектронные микросхемы представляют собой гибридные микросхемы, содержащие кроме бескорпусных оптопар еще и бескорпусные согласующие компоненты или интегральные схемы, подключаемые, как правило, к фотоприемнику оптопары. Конструктивно схема оформляется в унифицированных корпусах микросхем. [5]
 |
Оптоэлектронная логическая ИМС ( инвертор-переключатель. [6] |
Оптоэлектронные микросхемы имеют стандартные корпуса, принятые для интегральных ИМС. В, а уровень логической единицы составляет не менее 2 3 В. [7]
 |
Устройство резонистора.| Ультразвуковая линия задержки. [8] |
Представляют интерес оптоэлектронные микросхемы серии 249, в которую входят четыре группы приборов, представляющих собой оптоэлектронные ключи на основе электролюминесцентных диодов и транзисторов. Конструктивно микросхемы оформлены в прямоугольном плоском корпусе интегральных микросхем с 14 выводами и имеют два изолированных канала, что уменьшает габариты и массу аппаратуры, а также расширяет функциональные возможности микросхем. Све-тодиоды выполнены на основе кремния и имеют п - р - Пг - п - с трукгуру. Наличие двух каналов в ключе позволяет использовать его в качестве интегрального прерывателя аналоговых сигналов и получать высокий коэффициент передачи сигнала ( 10 - 100) при включении фототранзисторов по схеме составного транзистора. [9]
 |
Электрические схемы некоторых типов оптоэлектронных микросхем. а - ключевая микросхема. б - аналоговый ключ. в - реле постоянного тока. [10] |
Представляют интерес Оптоэлектронные микросхемы серии 249, в которую входят четыре группы приборов, представляющих собой электронные ключи на основе электролюминесцентных диодов и транзисторов. [11]
 |
Схема ( а и технологическое выполнение ( б оптрон. [12] |
На базе оптоэлектронных пар создаются оптоэлектронные микросхемы различного назначения. [13]
 |
Схема ( а и технологическое выполнение ( б оптронной. [14] |
На базе оптоэлектронных пар создаются Оптоэлектронные микросхемы различного назначения. [15]
Страницы: 1 2