Интегральная полупроводниковая микросхема

Cтраница 1

Интегральные полупроводниковые микросхемы ( или просто полупроводниковые микросхемы) - микросхемы, в которых все входящие в схему элементы выполнены методами полупроводниковой технологии в объеме полупроводниковой монокристаллической пластины. [1]

При изготовлении интегральных полупроводниковых микросхем базовой является планарная технология, при которой элементы схемы формируются в полупроводниковом кристалле рядом последовательных операций диффузии примесей в локальные области полупроводника с выводом всех областей на поверхность кристалла. [2]

Широкий ассортимент интегральных полупроводниковых микросхем различного назначения, принципы построения и организации которых рассмотрены в данном пособии, требует от разработчика МЭА знаний их схемотехнических особенностей и конструктивного оформления. Вопросам создания полупроводниковых микроэлектронных устройств на БМК и ПЛУ посвящена следующая книга данной серии. [3]

Структура биполярной кремниевой интегральной микросхемы. [4]

Резисторы в интегральных полупроводниковых микросхемах ( ИПМС) получают путем создания высокоомных слоев в толще монокристаллического кремния. Сопротивление такого резистора зависит от профиля концентрации примеси, глубины диффузии и геометрических размеров диффузионного участка. [5]

Совмещенная микросхема - комбинированная интегральная полупроводниковая микросхема, в которой некоторые элементы ( обычно пассивные) наносятся на поверхность подложки ( кристалла) методами пленочной технологии. [6]

При разработке конструкторской документации интегральных полупроводниковых микросхем также выполняют чертежи отдельных слоев, по которым изготовляют фотошаблоны большой точности. [7]

Диффузионная, планарная и пла-нарно-эпитаксиальная технология изготовления интегральных полупроводниковых микросхем основаны на диффузионном методе создания р - n - переходов. Этот метод применим для групповой технологии и позволяет получать качественные р-п-переходы различной площади. [8]

Проблема помехоустойчивости МЭА Повышение плотности электромонтажа в пределах интегральных полупроводниковых микросхем, микросборок и функциональных ячеек, применение многоуровневой разводки, снижение напряжения питания обусловливают наличие паразитных связей, наводок, возникновение внутренних помех при функционировании МЭА. Основными видами паразитных связей в МЭА являются емкостные и индуктивные связи, а также связь через общее активное и индуктивное сопротивления шин питания. [9]

Система автоматизированного выполнения чертежей совмещенной топологии и отдельных слоев интегральной полупроводниковой микросхемы. [10]

Структура МОП-транзистора. [11]

Эти два типа транзисторов являются основными и находят наиболее широкое применение в интегральных полупроводниковых микросхемах. [12]

В книге рассматриваются физико-химические основы типовых процессов производства интегральных микросхем: термовакуумного испарения, катодного распыления, химических и электрохимических методов получения слоев, диффузии, эпитаксии, ионного внедрения и фотолитографии. Описываются технологии изготовления интегральных гибридных пленочных и интегральных полупроводниковых микросхем, а также применяемое оборудование. [13]

Каскады с коллекторной ( а и базовой ( б индуктивной коррекцией. [14]

Во втором варианте используется не чистая индуктивность, а цепочка RL, Коллекторная коррекция преследует цель задержать изменение тока через к и тем самым форсировать нарастание тока через сопротивление нагрузки Ra. Анализ показывает [117], что таким путем удается улучшить фронт и добротность на десятки процентов, особенно у бездрейфовых транзисторов. Базовая коррекция обеспечивает такие же начальные условия, как и без нее ( поскольку в первый момент ток через катушку не идет); зато в дальнейшем корректирующая цепочка отсасывает часть входного тока ц снижает установившееся значение выходных величин. Однако наличие катушки относится к существенным недостаткам такого решения, поэтому индуктивная коррекция даже в дискретных схемах используется редко; в интегральных полупроводниковых микросхемах использование индуктивности полностью исключается. [15]

Страницы: 1