Емкость - коллектор
Cтраница 1
Емкость коллектора складывается из емкости коллекторного перехода Ска и диффузионной емкости Скд. [1]
Емкость коллектора ( Ск) является емкость запорного слоя коллектора. [2]
Емкость коллектора определяется в основном трещинами. [3]
Емкости коллектора, соответствующие промежуточной и пассивной областям базы, могут считаться соединенными параллельно и подключенными между внешними электродами коллектор - база. Эта межэлектродная емкость часто сравнима с величиной Ск, однако при расчетах ее можно относить к нагрузке транзистора. [4]
Емкость коллектора на низких частотах равна сумме зарядной и диффузионной составляющих и с повышением частоты стремится к величине зарядной составляющей. [5]
Емкость коллектора определяется в основном трещинами. [6]
Емкость коллектора С оказывает малое влияние на параметры выходного импульса в сравнении с влиянием на них процессов накопления и рассасывания заряда неосновных носителей в базе. Это типично для низкочастотных бездрейфо вых транзисторов. [7]
Емкость коллектора - емкость, создаваемая запорным слоем коллектора. Ее величина зависит от режима работы транзистора. [8]
Емкости коллектора, соответствующие промежуточной и пассивной областям базы, могут считаться соединенными параллельно и подключенными между внешними электродами коллектор - база. Эта межэлектродная емкость часто сравнима со значением С, однако при расчетах ее можно относить к нагрузке транзистора. [9]
Емкость коллектора определяется в основном трещинами. [10]
Емкость коллектора CKCKi CK2 измеряется в обесточенном транзисторе при подаче на коллектор заданного напряжения. Сопротивление базы г § измеряется также в обесточенном транзисторе, хотя это измерение достаточно сложное. Величина Сэ в этом случае характеризует работу транзистора в активном режиме. [11]
Емкость коллектора Ск представляет собой емкость запирающего слоя коллектора и должна иметь возможно меньшую величину. [12]
 |
Эквивалентная схема каскада с общим эмиттером для высоких частот. [13] |
Емкость коллектора Ск параллельна коллекторному переходу, имеющему большое сопротивление, поэтому с увеличением частоты она оказывает значительное влияние на величину динамического коэффициента усиления. Емкостью эмиттера С3 в интересующей нас области частот можно пренебречь, так как она, имея величину того же порядка, что и Ск, шунтирует малое сопротивление эмиттера. В рассматриваемой эквивалентной схеме сопротивление базы разбито на две составляющие: Гб - омическое сопротивление, не зависящее от частоты, и rg - омическое сопротивление, зависящее от частоты. [14]
 |
Пористость пород-коллекторов некоторых месторождений России. [15] |
Страницы: 1 2 3 4