Емкость - коллектор-баз
Cтраница 1
Емкость коллектор-база Скб определяется с помощью характеристик базовой области и удельной емкости на единицу площади перехода. Последовательное сопротивление коллектора RK определяется удельным сопротивлением материала коллектора и геометрическими размерами объема между коллекторным контактом и переходом база-эмиттер. Коэффициент усиления по току ( для низкочастотных схем) определяется эффективной шириной базы между эмиттерным и коллекторным переходами и площадью эмиттера. [1]
 |
Построение гиперболы максимальной потребляемой мощности. [2] |
С - емкость коллектор-база ( пропорциональная площади коллекторного перехода), Е р - Ю5В / см - пробивная напряженность поля, 6 - 106см / с - скорость насыщения дрейфа носителей заряда. [3]
Сж - емкость коллектор-база транзистора, Rк - сопротивление нагрузки цепи коллектора переменному току, / С - коэффициент усиления напряжения ( отношение выходного напряжения сигнала к входному) каскада, входную емкость которого рассчитывают. [4]
Если сопротивление коллекторного источника высоко и емкость коллектор-база мала, то можно получить полезную развязку колебательной цепи от нагрузки. Это явление подобно происходящему в ламповом генераторе с электронной связью, и, конечно, необходимо соблюдать аналогичные предосторожности для обеспечения хорошей развязки. В частности, мгновенное значение разности потенциалов коллектора не должно допускать падения ниже точки изгиба статической характеристики транзистора, соответствующей максимальному мгновенному току эмиттера. [5]
В ток / б входит в качестве слагаемого ток через емкость коллектор-база, величина которой зависит от напряжения на переходе коллектор-база. [6]
Каскады не нейтрализованы, посколь ку емкость коллектор-база транзисторов очень мала. Использованы те же методы смещения и стабилизации рабочей точки и АРУ, что и в схеме 3 - 1, за исключением напряжений обратных полярностей в связи с применением транзисторов п-р-га. [7]
Как известно, величина емкости перехода коллектор - база транзистора есть функция приложенного к нему напряжения, в связи с чем возникает возможность использования этого перехода в качестве варактора для умножения частоты. При наличии на входе транзистора высокочастотного сигнала усиленное напряжение оказывается приложенным к его коллекторному переходу и вызывает модуляцию емкости коллектор-база, что и приводит к параметрической генерации гармоник. Таким образом, транзистор одновременно используется как усилитель мощности и как варакторный умножитель частоты на переходе коллектор-база. [8]
 |
Дифференциальный каскад на транзисторах типа супер-3.| Дифференциальный каскад с использованием на входе полевых транзисторов. [9] |
Для увеличения Vm приходится увеличивать коллекторные токи, что уменьшает усиление и увеличивает / вх - Из-за обратной связи через емкость коллектор-база быстродействие сравнительно низкое. [10]
 |
Эквивалентное представление транзистора в схеме с общим эмиттером.| Емкости транзистора и паразитные емкости монтажа в схеме с общим эмиттером. [11] |
В каждой схеме есть ряд емкостей, которые с сопротивлениями образуют фильтры нижних частот. Они изображены на рис. 14.2. Основными паразитными емкостями являются: Cj-емкость монтажа, особенно емкость подводящих цепей; С2 - емкость эмиттер-база; С3 - емкость коллектор-база; С4 - емкость коллектор-эмиттер. [12]
Практически реализовать характеристику идеального среза во всем рабочем диапазоне частот не представляется возможным по двум основным причинам: вследствие большей, чем у идеального среза, крутизны реального асимптотического спада п 0 7 неп / окт и вследствие наличия в каждой реальной цепи небольшого неминимально фазового дополнительного сдвига, не учтенного в характеристиках идеального среза. Присутствие неминимально фазовой составляющей в общем фазовом сдвиге по петле обратной связи можно объяснить тем, что если учесть все малые паразитные реактивные элементы ( например, емкость коллектор-база транзистора, емкостные и индуктивные связи между различными элементами и частями схемы, распределенные емкости обмоток трансформаторов и др.), тракт передачи по петле обратной связи нельзя представить в виде лестничной схемы, которой, как мы указывали выше, всегда соответствует только минимально фазовый сдвиг. [13]
Межкаскадные цепи, применяемые в транзисторных усилителях, относительно просты. Они включают в себя лишь активное сопротивление той или иной величины, соединенное в некоторых случаях последовательно с небольшой индуктивностью. Уменьшение величины этого сопротивления приводит к снижению усиления на низких частотах без заметного уменьшения усиления на высоких частотах, где входное сопротивление последующего каскада ( с общим эмиттером) мало за счет местной обратной связи по напряжению через емкость коллектор-база. Последовательная индуктивность действует тем более эффективно, чем меньше активное сопротивление нагрузки. [14]
Интересно рассмотреть источник нестабильности частоты, остающейся после устранения нелинейности. Работа в режиме класса А обеспечивается благодаря тому, что сигнал в эмиттерной цепи составляет всего 0 02 в. Схема автоматической регулировки усиления сохраняет ток эмиттера постоянным, и поэтому емкость база-эмиттер тоже должна оставаться постоянной независимо от величины коллекторного напряжения. Однако емкость коллектор-база изменяется с изменением напряжения питания, и найденное изменение частоты, обусловленное коллекторной емкостью, показано на фиг. По-видимому, это важно при более высоких коллекторных напряжениях. Когда коллекторное напряжение понижается, возрастание времени перехода является, вероятно, причиной значительного уменьшения частоты, во много раз превосходящей частоту, вычисленную по изменению коллекторной емкости. [15]
Страницы: 1 2