Микротопография - поверхность
Cтраница 2
Оценку поверхности субстрата дает ее микротопография, построенная по продольным и поперечным профило-граммам и позволяющая в известной мере судить о величине реальной поверхности и объеме впадин между выступами микронеровностей. На рис. 4 - 10 приведена микротопография поверхности с двумя граничными плоскостями М и N, которые являются касательными наивысшим вершинам и наиболее глубоким впадинам. [16]
Пленка MoS2 теряет смазочную способность, если скорость переноса дисульфида молибдена на поверхность трения становится меньше скорости изнашивания. В свою очередь, скорость переноса определяется микротопографией поверхности трения, а также изменением интенсивности когезионного взаимодействия между частицами MoS2 в зависимости от количества сорбированной влаги. [17]
В основу правил пользования устройством положено допущение, что существует линейная зависимость между высотой поплавка ( показаниями пневматического прибора по шкале в миллиметрах) и значениями Нгк, полученными с помощью щупового профилометра для поверхностей, обработанных при различных режимах резания. Отклонения в режимах обработки, характеристика абразивного инструмента и вызванная этим некоторая разница в микротопографии поверхности, а также некоторое различие в макрогеометрии и волнистости сравниваемых поверхностей в правилах пользования не учитываются. [18]
 |
Распределение бора в ЗЮг. [19] |
Метод ОЭС обладает высокой чувствительностью ( в среднем на 1 - 2 порядка выше ЭСХА при том же времени измерения), особенно для элементов с низким атомным номером и низкой энергией Оже-электронов, что повышает скорость анализа. Важна возможность объединения Оже-спектрометра и растрового электронного микроскопа для получения информации о химическом составе и микротопографии поверхности. [20]
С его помощью получена подавляющая часть информации о закономерностях зернограничной сегрегации элементов при развитии обратимой отпускной хрупкости сталей и сплавов железа. Его основные преимущества заключаются в возможности обнаружения всех элементов ( кроме водорода и гелия), в высокой чувствительности ( обнаруживает и измеряет зернограничную сегрегацию при степени заполнения Сг - 0 01), в высокой разрешающей способности по глубине ( порядка атомного размера) и по площади ( - 10 - 2 мкм2), в возможности проведения послойного анализа при распылении поверхности образца ионами аргона и, наконец, в возможности объединения Оже-спектромет-ра и растрового электронного микроскопа в так называемый сканирующий Оже-микроскоп для получения информации о химическом составе, привязанной к микротопографии поверхности разрушения. [21]
Рассмотрим взаимодействие пяты и подпятника при ненасыщенном и насыщенном контактах для двух разновидностей упорных подшипников скольжения: без учета и с учетом волнистости поверхности пяты. Допущения для микротопографии поверхностей пяты и подпятника будут аналогичны допущениям, сделанным при определении силовых взаимодействий деталей в процессе работы подшипника. [22]
Сближение контактирующих поверхностей определяется изменением расстояния между ними. Сближение при заданных характеристиках материала, нагрузке зависит от отклонений геометрических параметров и в том числе микротопографии поверхностей; сближение находят из решения задач об определении фактической площади контакта. [23]
При назначении величины натяга исходят из номинальных размеров детали. Однако наличие микронеровностей на поверхностях твердых тел и их взаимодействие при контактировании твердых тел под нагрузкой оказывают влияние на натяг и прочность соединения с гарантированным натягом. В общем случае под влиянием нагру-аок ( нормальной и касательной к поверхности соединяемых деталей) происходит сближение между поверхностями контактирующих тел. Величина сближения зависит от микротопографии поверхностей контактирующих тел, их механических свойств, средних нормальных и касательных напряжений. [24]
При определенной температуре подложки осадок состоит кз кристаллов с различными ориентациями. Как правило, число ориентировок увеличивается с ростом температуры подложки. В общем случае не установлено, образуются кристаллы с ориея-гациями II и III ( см. рис. 23) на поверхности подложки или в процессе последующего роста. С утолщением осадка начинают образовываться двойники, причем интенсивность двойникования значительно уменьшается с увеличением температуры. Не исключено, что возникновение кристаллов с различными ориентировками обусловлено микротопографией поверхности. В большинстве работ изучались не исходные зародыши, а выросшие из этих зародышей кристаллы. При изучении эпитаксии важно разграничивать процессы возникновения и роста зародышей. Например, исследование слоев, состоящих из кристаллов различных ориентации, показало, что доля кристаллов с определенной ориентировкой изменяется в зависимости от величины угла конденсации. Это обусловлено, естественно, не процессами за-родышеобразования, а скорее всего геометрическим отбором различно ориентированных кристаллов. [25]
Страницы: 1 2