Микротранзистор
Cтраница 2
Монтаж микротранзисторов сводится к обрезке их выводов, отгибке их под определенным углом, обезжириванию выводов в спиртобензиновой смеси ( 1: 1) и пайке выводов базы, эмиттера и коллектора при включенном обдуве микротранзистора с расходом воздуха 8 - 10 л / мин. Обращается внимание на наличие всех микротранзисторов и правильность их размещения, отсутствие замыканий, резких перегибов и механических повреждений выводов и монтажной схемы, отсутствие повреждений и отслоений проводников печатной схемы. [16]
Фирма Hewlett-Rackard ( США) разработала цифровой индикатор, представляющий матрицу из 5X7 элементов, составленную из 35 светодиодов, формирующих цифры высотой 6 35 мм. Диоды смонтированы на керамической подложке с двумя интегральными схемами, каждая из которых содержит 250 микротранзисторов, осуществляющих необходимые кодовые преобразования и коммутацию светодиодов для получения цифр. [17]
 |
Собранный модуль ( а и его цоколевка ( б. [18] |
Дискретные элементы должны быть сравнимы по размерам с тонкопленочными элементами, поэтому в гибридных схемах применяют микротранзисторы и микродиоды. Размеры их либо сокращены до минимума, либо эти элементы используются без корпуса. Гибридные схемы позволяют совмещать достоинства пленочной технологии с возможностями полупроводниковой электроники. [19]
Эти методы также пока применяют ограниченно, в основном в приборостроении для контроля радиоэлектронной аппаратуры. В пленочных проводниках и резисторах выявляют микротрещины, утонения, плохую адгезию, плохой контакт; в микросхемах - плохой контакт, нарушения теплового контакта, короткие замыкания, перегрев; в пленочных конденсаторах - токи утечки; в микродиодах и микротранзисторах - перегрев, неудовлетворительные контакты. [20]
 |
Топологический чертеж резистивного слоя гибридной тонкопленочной микросхемы ( 2 - й лист. [21] |
На топологическом чертеже изображена плата после нанесения последнего слоя. Условные обозначения слоев и их технические характеристики помещены в табл. I на поле чертежа. Внешним контактным площадкам присвоены порядковые номера, которые проставлены условно по часовой стрелке, начиная с нижней левой площадки; внутренним площадкам также присвоены номера. Пассивные пленочные элементы обозначены в соответствии с электрической принципиальной схемой. Местоположение навесных элементов ( микротранзисторов) показано метками в виде уголка на резистивном слое. [22]
Элементы же, из которых собирается микромодуль, микроминиатюрны. Каждый элемент ( а иногда и по нескольку элементов) крепится на стандартных керамических квадратных пластинах ( галетах) со стороной около 0 8 см и толщиной около 0 25 мм. На торцах галеты имеются выемки ( всего 12 выемок), которые металлизируются и служат для наружных контактов с закрепленной деталью. Соединение между выводами дета л и и выемками галеты может быть печатным. Микродиод присоединяется к двум, а микротранзистор к трем выемкам. [23]
На рис. 12.11 приведен пример выполнения топологического чертежа платы гибридной тонкопленочной микросхемы. На топологическом чертеже изображена плата после нанесения последнего слоя. Условные обозначения слоев и их технические характеристики помещены в табл. 1 на поле чертежа. Внешним контактным площадкам присвоены порядковые номера, которые проставлены условно по часовой стрелке, начиная с нижней левой площадки; внутренним площадкам также присвоены номера. Пассивные пленочные элементы обозначены в соответствии с электрической принципиальной схемой. Местоположение навесных элементов ( микротранзисторов) показано метками в виде уголка на резистивном слое. [24]
Страницы: 1 2