Миллион - транзистор - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Какой же русский не любит быстрой езды - бессмысленной и беспощадной! Законы Мерфи (еще...)

Миллион - транзистор

Cтраница 1


Миллион транзисторов не заменит куска хлеба голодному, миллиард телевизоров не спасет от жажды, триллион автомашин не даст глотка воздуха задыхающемуся.  [1]

Актуальность проблемы тестирования обусловлена ограниченными управляемостью и наблюдаемостью СБИС, поскольку при десятках-сотнях миллионов транзисторов на кристалле имеется лишь несколько сотен внешних выводов. Синтез и анализ тестов занимают до 35 % времени в цикле проектирования СБИС, и, несмотря на такие затраты, удается разрабатывать тесты с приемлемой полнотой обнаружения константных неисправностей только для комбинационных схем. Поэтому проблема тестируемости СБИС сохраняет постоянную актуальность.  [2]

Перспективные субсистемы ( микросистемы), по оценкам, должны содержать 1 - 100 миллионов транзисторов. Плотность компоновки для СБИС при минимальном размере элементов 0 5 - 2 мкм достигает 2 - 20 тысяч транзисторов на квадратный миллиметр.  [3]

Процессор имеет площадь кристалла 217 мм2, потребляет 52 Вт при частоте 1500 МГц, содержит 42 миллиона транзисторов.  [4]

Серьезное внимание привлекают и сверхбольшие интегральные схемы ( СБИС) - полупроводниковые устройства, объединяющие на простой кремниевой пластинке ни много ни мало миллион транзисторов.  [5]

Процессор состоит из десятков миллионов транзисторов, с помощью которых собраны отдельные логические схемы.  [6]

Вы, возможно, предпочтете заменить техника, уставившегося в замысловатый микроскоп, какой-либо разумной системой. Пределы, обусловленные существующими технологиями, и законы физики не помешают лучшим в мире инженерам создать в течение предстоящих 15 лет поражающие воображение микросхемы. Представляя себе микропроцессоры 2015 г. с сотнями миллионов транзисторов, мы видим открывающийся перед нами новый мир.  [7]

Автоматизация проектирования в радиоэлектронике началась с создания программ анализа электронных схем и проектирования печатных плат в первой половине 1960 - х годов. Первые системы автоматизированного проектирования в электронике ( САПР-Э или ECAD - Electronic Computer Aided Design) были созданы именно для нужд микроэлектронной промышленности. В настоящее время сложность проектируемых сверхбольших интегральных схем ( СБИС) определяется сотнями миллионов транзисторов на кристалле и продолжает расти, что и определяет безальтернативность технологий САПР при разработке СБИС.  [8]

Репрограммируемые БИС / СБИС с энергонезависимой памятью конфигурации ( EPROM, EEPROM, Flash) в рабочих режимах также не используют файлы конфигурирования. Взломщик, как и в предыдущем случае, имеет в своем распоряжении сам кристалл, в котором скрыта информация о проекте. Исследовать сам кристалл проще, чем кристалл с перемычками, но также очень нелегко. Если предположить, что расположение транзисторов с плавающими затворами, состояния которых программируются, известно или может быть визуально определено, то задача раскрытия проекта сводится к исследованию состояний каждого из многих тысяч или даже миллионов транзисторов.  [9]

Однако развитие ИС для микроЭВМ и мини - ЭВМ идет дальше - в сторону создания однокристальных компьютеров. Пока еще однокристальные микроЭВМ и мини - ЭВМ по производительности уступают своим аналогам, собранным из большого числа ИС. Если потребуется сократить число ИС в компьютерах, более крупных, чем микроЭВМ и мини - ЭВМ, то возникнет необходимость в микропроцессорах, оперирующих 32-разрядными словами, а также в интегральных схемах памяти емкостью более 62 кбит каждая. ЭВМ содержит 450000 элементов, размещенных на одном полупроводниковом кристалле. То, что наиболее высокая степень интеграции достигнута как раз в ИС памяти компьютера, вполне закономерно. Причина тому-относительно простая структура ИС памяти: один и тот же базовый элемент и запоминающая ячейка емкостью 1 бит в этой структуре повторяются такое число раз, которое соответствует емкости ЗУ. Поступившее в продажу в 1986 г. ЗУПВ динамического типа на 1 Мбит представляет собой однокристальное устройство, в котором на площади около 80 мм2 размещено несколько миллионов элементов - свыше миллиона транзисторов и такое же количество конденсаторов. В 1987 г. появилось насчитывающее более 10 млн. элементов ЗУПВ динамического типа на 4 Мбит, а в начале 90 - х годов будут созданы такие ЗУ на 16 Мбит.  [10]



Страницы:      1