Емкость - обычный конденсатор
Cтраница 1
Емкость плоского обычного конденсатора ( постоянная емкость), кроме того, определяется как отношение постоянного электрического заряда Q к разности потенциалов Е на обкладках конденсатора ( интегральная емкость по уравнению ( 2) - см. стр. [1]
Емкость диода при помощи куметра измеряют так же, как емкость обычного конденсатора, с той лишь разницей, что на диод необходимо подавать напряжение смещения. [2]
Емкость двойного слоя измеряется компенсационным способом так же, как и емкость обычного конденсатора, имеющего утечку. Последняя соответствует прохождению электричества через двойной слой во время протекания электрохимического процесса. [3]
Кроме непрерывности настройки от приемника требуется также, чтобы он перекрывал большой диапазон; для этого изменение емкости или индуктивности в приемном контуре должно быть настолько велико, чтобы настройка приемного контура изменялась в нужных пределах. Между тем, емкость обычного конденсатора переменной емкости или индуктивность обычного вариометра меняются только в определенных и не слишком широких пределах, не более чем в 10 - 15 раз. В этих пределах изменяется емкость самого конденсатора или индуктивность самого вариометра; между тем, в каждом приемном контуре, помимо конденсатора переменной емкости, присутствуют и другие емкости. [4]
 |
Электрическая схема, эквивалентная двойному слою. [5] |
Экспериментальное измерение емкости двойного слоя может быть произведено при помощи компенсационного метода. Емкость двойного слоя отличается от емкости обычного конденсатора наличием большой утечки. Действительно, прохождение переменного тока через поверхность раздела может быть обусловлено как наличием емкости, так и обычной проводимости. [6]
В малополяризующемся электроде преобладает первый процесс, в сильнополяризующемся - второй процесс. Емкость двойного слоя определяется так же, как емкость обычного конденсатора, имеющего утечку. Емкости конденсатора соответствует емкость двойного слоя, а сопротивлению утечки - величина, обратная скорости электродной реакции в процессе электролиза. [7]
Если активное сопротивление и индуктивность датчиков обычно измеряют мостовым методом, то емкость датчиков часто измеряют резонансным методом. Так как датчики емкости имеют очень высокую добротность, то измерение их емкости ничем не отличается от измерения емкости обычных конденсаторов и может проводиться при необходимости получения большой точности с помощью сочетания метода биений и резонансного метода. [8]
Выражение (1.19) определяет так называемую барьерную емкость р-п перехода при заданном напряжении на нем. Ее существование не связано с протеканием тока через переход, и, за исключением нелинейности, барьерная емкость р-п перехода аналогична по свойствам емкости обычного конденсатора. [9]
Емкость диффузного строения двойного электрического слоя ( для разбавленных растворов) определяется не величиной радиуса сольватированных ионов, равной толщине плотной части двойного слоя, а эффективной толщиной двойного слоя d, возрастающей с увеличением его диффузной части и приводящей к уменьшению емкости. Размыв двойного слоя наиболее заметно выражен, когда состояние электрода близко к точке нулевого заряда. Рассчитанные значения емкости существенно превышают величины емкостей обычных конденсаторов, что объясняется, по-видимому, весьма малой толщиной ( б или d) двойного слоя. [10]
Страницы: 1