Cтраница 2
Резонансный усилитель с непосредственным включением контура в анодную цепь лампы. [16] |
Будем полагать, что собственная емкость контурной катушки включена в емкость переменного конденсатора С. Сопротивление потерь контура RK полагаем сосредоточенным в его индуктивной ветви. [17]
Если расчет схемы ведется исходя из данных значений минимальной и максимальной емкостей переменного конденсатора, то надлежит пользоваться следующими формулами. [18]
Согласно условию частота уменьшается в 4 раза, и, следовательно, емкость переменных конденсаторов должна увеличиться в 16 раз. [19]
Согласно условию частота уменьшается в 4 раза, и, следовательно, емкость переменных конденсаторов должна увеличиться в 16 раз. [20]
Емкость С каждого контура входной цепи и усилителя высокой частоты состоит из емкости переменного конденсатора Ск и дополнительной емкости Ссх, обеспечивающей нужное перекрытие диапазона во входной цепи и в усилителе высокой частоты. [21]
Настройка волномеров, использующих колебательный контур с сосредоточенными постоянными, производится при помощи привода изменением емкости переменного конденсатора. [22]
Этим способом можно измерить емкость, если ее величина не превышает разности максимальной и минимальной емкостей эталонного переменного конденсатора. [23]
Схема для измере - г -. счо 1 / итлг-п i. [24] |
Этим методом можно измерить емкость, если ее величина не превышает разности максимальной и минимальной емкостей эталонного переменного конденсатора. [25]
Сопряжение настройки преобразователя. [26] |
Для получения идеального закона изменения собственной частоты контура гетеродина ( прямая вг) необходимо, чтобы емкость переменного конденсатора изменялась в меньших пределах. Для этого параллельно переменной емкости контура гетеродина включают еще постоянную емкость Спар ( рис. 32 - 8 а), подобранную так, чтобы собственная частота контура гетеродина совпадала с точкой г. В этом случае кривая изменения частоты гетеродина в, ж, г совпадает с прямой вг только в двух точках. [27]
Сопряжение настройки преобразователя. [28] |
Для получения идеального закона изменения собственной частоты контура гетеродина ( прямая вг) необходимо, чтобы емкость переменного конденсатора изменялась в меньших пределах. Для этого параллельно переменной емкости контура гетеродина включают еще постоянную емкость Спар ( рис. 31.8, а), подобранную так, чтобы собственная частота контура гетеродина совпадала с точкой г. В этом случае кривая изменения частоты гетеродина вжг совпадает с прямой вг только в двух точках. [29]
Емкость ( С С3) участка схемы гетеродинного контура, обведенного на рис. 375 пунктиром, состоит из емкости переменного конденсатора Ск и дополнительной емкости С сх. Емкость Са представляет собой разность между емкостью С, непосредственно подключенной к переменному конденсатору контура гетеродина, и емкостью Ссх контура усилителя высокой частоты. Иначе говоря, емкость Са есть разность между емкостью ( Ск Ссх) обведенного пунктиром на рис. 375 участка схемы гетеродинного контура и общей емкостью ( Сх Ссх) контура усилителя высокой частоты. [30]