Дальнейшая миниатюризация

Cтраница 1

Конструкции аналоговой микросборки, выполненной по тонкопленочной ( а и совмещенной ( б технологиям. [1]

Дальнейшая миниатюризация аналоговых МСБ возможна на основе принципа переноса полупроводниковой технологии на пассивную часть гибридных ИС и замены отдельных дискретных транзисторов на ЛИС. Из рисунка видно, что МСБ занимает незначительную площадь, а следовательно, имеет малые массу и объем и повышенную надежность. [2]

Дальнейшая миниатюризация индуктивных датчиков в принципе ограничена размерами катушек. Помимо этого, расположение катушек непосредственно в измерительных камерах приводит к усилению влияния температуры. Несомненными достоинствами индуктивных датчиков являются: простота конструкции, хорошие динамические характеристики, высокие выходные сигналы, долговременная стабильность. [3]

Совмещенная конструкция БДПТ с фотодатчиком. [4]

При дальнейшей миниатюризации коммутатора силовые тран зисторы могут быть выполнены, например, в виде отдельной микро сборки. Совмещение силовых транзисторов и схемы регулятора i одном корпусе связано с некоторыми трудностями отвода тепл; и обеспечения термостабильности. Тем не менее перспектива со здания коммутаторов на едином кристалле весьма реальна. [5]

Одна из возможностей дальнейшей миниатюризации открывается микропленочной технологией. [6]

Перспектива развития вычислительной техники состоит в дальнейшей миниатюризации при расширении технических возможностей ПЭВМ. [7]

Возможно еще большее снижение затрат энергии за счет дальнейшей миниатюризации пластин - уменьшения их толщины и диаметра отверстий, что, в свою очередь, допускает значительно более компактное расположение отверстий в пластине и дальнейшее снижение общих габаритов ЗУ. Однако при этом затрудняется изготовление, испытание и монтаж пластин, так что, по-видимому, в ближайшее время практически оправданным окажется уменьшение всех-размеров пластин лишь в несколько раз. [8]

Последующее развитие и совершенствование всех приборов идет по линии дальнейшей миниатюризации, улучшения электрич. [9]

Одними из наиболее интенсивно развивающихся направлений научно-технического прогресса электроники являются дальнейшая миниатюризация и повышение плотности интеграции в технологии субмикронной и будущей нанометровой электроники. Поэтому обострилась необходимость дальнейшего уменьшения ( до нанометров) размеров единичных элементов и потребовался переход к оптической коммутации. [10]

Поэтому эффекты, связанные с наличием горячих носителей в канале, препятствуют дальнейшей миниатюризации СБИС. [11]

Этажерочный микромодуль и его элементы. [12]

Микромодульный метод конструирования способствует унификации схемных решений, нормализации и стандартизации конструктивных элементов радиоаппаратуры и обеспечивает дальнейшую миниатюризацию и повышение надежности. [13]

Ясно, что замечательные достижения технологического прогресса, приведшие к созданию все меньших и меньших наноструктур, в большой степени обязаны своим возникновением общей тенденции к дальнейшей миниатюризации реальных электронных приборов. [14]

Существует преемственность между данной книгой и серией книг-справочников Проектирование РЭА на интегральных схемах, издание которой завершилось в 1985 г. Новая книга содержит практические сведения о возможностях дальнейшей миниатюризации МЭА, носит характер справочника и тематического обзора, составленного по публикациям зарубежной периодической печати за последние два-три года, когда проблема повышения интеграции МЭА проявилась особенно остро. [15]

Страницы: 1 2