Минимум - коэффициент - отражение
Cтраница 1
 |
Ход лучей параллельного пучка ИК излучения, падающего под углом ф к входной грани модулятора. [1] |
Минимум коэффициента отражения в области плазменного резонанса соответствует минимуму коэффициента преломления, который в случае германия может уменьшаться более чем вдвое, а для таких полупроводников, как InSb, может становиться близким к единице. [2]
Отмеченные выше минимумы коэффициента отражения возникают вследствие интерференции основной волны, многократно отраженной от верхней и нижней плоских решеток. [3]
Поскольку для наблюдения минимумов коэффициента отражения обычно требуется сравнительно высокая концентрация Носителей, то в материалах с малыми эффективными массами носителей определенная таким способом частота циклотронного резонанса будет характеризовать состояния, достаточно удален Hbie от края зоны. [4]
Как следует из соотношения (3.2.17), величина минимума коэффициента отражения и положение его на частотной оси зависят от соотношения диэлектрических проницаемостей сред и частоты. [5]
 |
Конструкция волноводной поглощающей нагрузки малой мощности с объемным поглощающим сопротивлением. [6] |
Настройка волноводных согласованных нагрузок ведется на стандартных измерительных стендах ( § 4.1) по минимуму коэффициента отражения. [7]
Согласно функции цели (9.15) оптимизация входной цепи производится по двум критериям: минимальному различию между заданным и фактическим значениями коэффициента усиления и минимуму коэффициента отражения по входу. [8]
Так, например, в сложном объективе, состоящем из нескольких линз, легко потерять половину светового потока. Поэтому сведение к минимуму коэффициента отражения на каждой поверхности ( просветление оптики) становится важной задачей, которая теперь решается путем использования явлений интерференции. [9]
Существенное влияние на спектральную характеристику чувствительности элементов оказывает отражение излучения от металлического слоя. При указанной толщине пленки золота минимум коэффициента отражения и максимум на кривой спектральной чувствительности соответствуют длине волны света - 0 5 мкм. При использовании просветляющего покрытия форма кривой значительно изменяется. Коэффициент собирания носителей заряда в коротковолновой части спектра выше, чем в длинноволновой, что свидетельствует о низкой концентрации рекомбинационных центров в области перехода и о малой диффузионной длине носителей внутри пленки CdSe. [10]
 |
Отражательная способность некоторых материалов. [11] |
Весьма интересны данные по отражательной способности родия. При гексагональной структуре решетки отмечается минимум коэффициента отражения при 1 мкм. [12]
В случае - поляризации при к с 1 двухслойная решетка так же, как и однослойная, полностью отражает падающую на нее волну, затем с увеличением частоты наблюдается резкий минимум коэффициента отражения. Отметим, что зависимость коэффициента прохождения от частоты имеет максимумы, соответствующие минимумам коэффициента отражения. [13]
Правомерность последнего критерия объясняется тем, что использование оптимального набора волн в низком приближении соответствует наилучшему согласованию стыкуемых систем, при котором достигается минимум коэффициента отражения. На основе такого подхода была решена дифракционная задача о стыке полосковой линии и прямоугольного волновода с диэлектрической пластиной, имеющей одностороннее резнстнвное покрытие ( см. рнс. Некоторые численные результаты решения этой задачи приведены на рис. 3.35, 3.36. Из рис. 3.35 видно, что характеристики передачи стыка сильно зависят от геометрических размеров внутреннего проводника возбуждающей полосковой линии. [15]
Страницы: 1 2