Дополнительный минимум

Cтраница 1

Среднее отличие волновых функций, полученных в одномерной модели и трехмерной модели, как функция относительной ширины тора. [1]

Дополнительный минимум появляется по следующей причине. Тригонометрическая функция Sn симметрична на отрезке между г4 и г2, тогда как Rmn - несимметрична; это является основной причиной существования среднего отклонения. Имеются две причины, вызывающие асимметрию. [2]

Среднее отличие волновых функций, полученных в одномерной модели и трехмерной модели, как функция относительной ширины тора. [3]

Дополнительный минимум появляется по следующей причине. Тригонометрическая функция Sn симметрична на отрезке между rl и г2, тогда как Rmn - несимметрична; это является основной причиной существования среднего отклонения. Имеются две причины, вызывающие асимметрию. [4]

Положение дополнительных минимумов меняется в зависимости от силы водородной связи, и нельзя сказать, представляют ли они совершенно новые пики или соответствующие полосы димера просто смещаются к более низким частотам. Однако по мере дальнейшего увеличения силы водородных связей два из этих пиков становятся очень похожими на полосы А и В очень сильных водородных связей, рассмотренных в разд. В то же время, если используются очень сильные кислоты и основания, то появляется похожая на полосу С новая полоса в области 1900 - 1800 слг 1 и наблюдается общее усиление фона в низкочастотной области спектра. Некоторые особые случаи очень сильных ассоциаций между кислотами и пиридином подробно рассмотрены Хаджи [126] и Барроу [127] в связи с квантовомеханической проблемой туннельного эффекта протона. Рассмотрение таких эффектов дано ниже, в разд. [5]

Положение дополнительных минимумов, ближайших к главному максимуму m - го порядка, определяется условием: d sin ф ( т 1 / ЛО К. [6]

Условие дополнительных минимумов дифракционной решетк. [7]

Между дополнительными минимумами располагаются слабые вторичные максимумы. Число таких максимумов, приходящееся на промежуток между соседними главными максимумами, равно N-2. В § 124 было показано, что интенсивность вторичных максимумов не превышает V22 интенсивности ближайшего главного максимума. [8]

Между дополнительными минимумами располагаются слабые вторичные максимумы. В § 124 было показано, что интенсивность вторичных максимумов не превышает / 22 интенсивности ближайшего главного максимума. [9]

В зоне проводимости также имеются дополнительные минимумы, находящиеся в стороне от центра зоны Бриллюэна. Присутствие дополнительных минимумов было обнаружено в ряде экспериментов. Величина этого поглощения пропорциональна концентрации электронов, и эти авторы истолковали его как следствие переходов из минимума зоны проводимости в центре зоны в другие минимумы с более высокой энергией. [10]

Следовательно, в случае N щелей между двумя главными максимумами располагается N - дополнительных минимумов, разделенных вторичными максимумами, создающими весьма слабый фон. [11]

Следовательно, в случае N щелей между двумя главными максимумами располагается N - 1 дополнительных минимумов, разделенных вторичными максимумами, создающими весьма слабый фон. [12]

Зависимость кинетической энергии электронов зоны проводимости в таких полупроводниках от волнового вектора k кроме основного минимума имеет дополнительные минимумы в различных кристаллографических направлениях. [13]

Заметим, что если достигает минимума ( максимума) не в одной точке, то один из дополнительных минимумов дает требуемую третью критическую точку. [14]

Кроме главных максимумов имеется, как показано в § 31.4, большое число очень слабых побочных максимумов, разделенных дополнительными минимумами. [15]

Страницы: 1 2 3