Центральный минимум

Cтраница 1

Полный световой поток dp ( a и интенсивность излучения / ( б на входе ( пунктирные кривые и выходе ( сплошные кривые для оптического волоконного световода длиной 75 ммиз As-S стекла при дли. [1]

Центральный минимум на этом рисунке также является аномальным. Следует отметить, что без точного гонио-фотометрического метода, который был использован для проведения данной работы, указанные детали остались бы незамеченными. [2]

Что касается глубины центрального минимума, то при малых m ее также нетрудно оценить. [3]

Схема прямых ( о и непрямых ( б межзонных переходов. [4]

В антимониде галлия даже при комнатной температуре часть электронов переходит из центрального минимума в боковой, отстоящий от центрального всего на 0 08 эв. [5]

При малых напряженностях электрического поля в полупроводнике все электроны находятся в нижнем центральном минимуме и плотность тока через полупроводник jiqn iE. С ростом напряженности электрического поля, как только у части электронов появится энергия больше АЕС, они смогут перейти в боковой ми нимум с малой подвижностью. [6]

Эффективные массы носителей в соединениях AII. BV. [7]

Подвижности в нецентральных минимумах гораздо меньше; например, в GaAs, где подвижность в центральном минимуме ( k 0) при 300 К равна 9000 см2 - В 1-с 1, ее величина в минимумах ( 100) на несколько порядков величины меньше ( 310 см2 - В 1 - С 1 [587]) - на этом факте основан эффект Ганна. [8]

Второе заключение, которое можно сделать на основании рис. 31, сводится к тому, что глубина центрального минимума значительно чувствительнее к распределению температуры, чем ширина линии, определяемая, например, по расстоянию между максимумами интенсивности. Рассмотрим этот вопрос немного подробнее. [9]

Однако приведенная величина может оказаться слишком малой, так как в использованных ими легированных образцах часть зоны возле центрального минимума заполнена электронами вплоть до некоторого уровня, лежащего выше точки минимума. Другие доказательства существования дополнительных минимумов следуют из электрических экспериментов. При нагревании арсенида галлия выше 500 К коэффициент Холла возрастает и при достаточно высокой температуре, при которой начинает проявляться собственная проводимость, проходит через максимум. Увеличение обусловлено, вероятно, заполнением более высоких минимумов, вследствие чего в проводимости участвуют электроны с двумя различными значениями подвижности. [10]

Условия разрешения гауссовых полос поглощения. [11]

Критерий Рэлея для полос поглощения не пригоден, так как последние не имеют минимума. При этом их огибающая имеет центральный минимум, составляющий 0 92 от максимума. [12]

Сагер [44] сделал вывод, что минимумы в направлениях [111] расположены примерно на 0 07 эв выше дна зоны проводимости. Исходя из температурной зависимости коэффициента Холла, Сагер оценил подвижность электронов в минимумах [111] и обнаружил, что она примерно в шесть раз меньше, чем в центральном минимуме. При достаточно высоком давлении минимумы [100] опустятся ниже минимума при k 0; Эдварде, Сликхаус и Дрикеймер [13] исходя из смещения края полосы поглощения в зависимости от давления пришли к выводу, что такое опускание происходит примерно при 50 000 атм. [13]

Особенности формы линии весьма четко проявляются при записи второй производной функции поглощения. Если линия имеет простую колоколообразную форму, то по второй производной можно судить о том, близка ли функция формы линии к ло-ренцевой или к гауссовой. Для этого достаточно определить отношение высоты боковых максимумов к высоте центрального минимума. Очевидно, в первом случае форма линии близка к лоренцевой, а во втором - к гауссовой. [14]

Функции распределения протона и дейтона в основном состоянии в двойной потенциальной яме. [15]

Страницы: 1 2