Cтраница 5
Классификация емкостных датчиков ( в отдельных клетках изображены наиболее часто используемые схемы конструкций. [61] |
Емкостные преобразователи состоят из двух или нескольких пластин, расположенных определенным образом одна относительно другой, причем зазор между ними заполнен диэлектриком, обычно воздухом. Измерительный ход упругого элемента изменяет их расположение и тем самым изменяет емкость преобразователя. Классификация важнейших конструкций преобразователей дана на рис. 3.50. Для использования в датчиках чаще всего применяются системы с изменяемой длиной зазора, а из них - несимметричные - главным образом в генераторных схемах для частотных методов измерения. [62]
Например, при диаметре электрода 4 мм и зазоре 4 мкм емкость преобразователя составляет 0 9 пФ, а чувствительность - 3 1Q - 8 Ф / м, что при напряжении смещения 200 В и применении зарядового усилителя с чувствительностью 250 мВ / пФ дает значение чувствительности 1 5 мВ / нм. [63]
Классификация емкостных датчиков ( в отдельных клетках изображены наиболее часто используемые схемы конструкций. [64] |
Емкостные преобразователи состоят из двух или нескольких пластин, расположенных определенным образом одна относительно другой, причем зазор между ними заполнен диэлектриком, обычно воздухом. Измерительный ход упругого элемента изменяет их расположение и тем самым изменяет емкость преобразователя. Классификация важнейших конструкций преобразователей дана на рис. 3.50. Для использования в датчиках чаще всего применяются системы с изменяемой длиной зазора, а из них - несимметричные - главным образом в генераторных схемах для частотных методов измерения. [65]