Емкость - варикап
Cтраница 2
Температурная стабильность емкости варикапов зависит как от ТКЕ самого варикапа ас. [16]
 |
Схема фазового модулятора на варикапе. [17] |
При изменении емкости варикапа под действием информативного сигнала происходит изменение реактивного сопротивления контура и, следовательно, изменяется сдвиг фаз между напряжением несущей м ( /) на входе усилителя и напряжением на резонансном контуре. График изменения сдвига фаз при изменении емкости варикапа приведен на рис. 24.116. Из этого графика видно, что изменение емкости на АС приводит к изменению сдвига фаз на Д ( р, что и обеспечивает фазовую модуляцию. [18]
Таким образом, емкость варикапа в устойчиво работающем усилителе должна изменяться весьма незначительно. [19]
 |
Эквивалентная схема цепи, состоящей из кварца и варикапа.| Схема кварцевого генератора с частотной модуляцией.| Косвенный метод осуществления частотной модуляции. [20] |
Модулирующий сигнал изменяет емкость варикапа и частоту генерации. [21]
Напряжение, управляющее емкостью варикапов, должно быть стабилизировано. Настройка фильтра производится при минимальных емкостях варикапов связи Д2 и Д, по максимальному напряжению на выходе фильтра или приемника. [22]
С ростом обратного напряжения емкость варикапа уменьшается, так как расширяется область объемного разряда p - n - перехода, а следовательно, увеличивается его толщина. [23]
 |
Действие обратного напряжения на р-п переход.| Зависимость емкости. -. варикапа от величины обратного X напряжения. [24] |
Минимальная емкость Ст - - емкость варикапа при заданном максимальном напряжении смещения. [25]
 |
Разрез варикапа в бескорпусном оформлении. [26] |
Смин - минимальная емкость - емкость варикапа при заданном максимальном напряжении смещения. [27]
Напряжение звуковой частоты вызывает изменение емкости варикапа и рас-страизает контур. [28]
Для получения более резкой зависимости емкости варикапа от приложенного напряжения целесообразно создавать ( например, методом диффузии доноров) в базе варикапа неравномерное распределение основной примеси ( рис. 1.72) так, чтобы получился градиент концентрации примесей с обратным знаком по сравнению с градиентом концентрации примесей в базе диода, созданного обычным методом диффузии. [29]
 |
Принципиальная электрическая схема блока VKB-I - 2C (. 1 /. РП магнитол Рига-110 и. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5