Cтраница 1
![]() |
Зависимость коэффициента затухания от частоты в прямоугольном волноводе. [1] |
Первый множитель зависит от удельной проводимости стенок волновода и проницаемости диэлектрика, второй множитель зависит от размеров волновода и типа волны; третий множитель определяет зависимость а от частоты. [2]
Первый множитель в этой формуле описывает поглощение частиц на пути /, а второй говорит о том, что потеря энергии А и путь /, пройденный частицей, однозначно связаны соотношением А р /, соответствующим непрерывному замедлению. [3]
Первый множитель в левой части уравнения отвечает основной, а второй - пучковой ветви спектра колебаний; правая часть описывает взаимодействие этих ветвей. [4]
Первый множитель в выражении ( 21 - 22) дает величину градиента напряжения при равномерном распределении напряжения вдоль обмотки, а второй показывает, что в начальный момент времени ближайшие ко входу А элементы обмотки находятся под напряжением в a 10 - j - 15 раз большим, чем при равномерном распределении напряжения. Это заставляет принимать меры для защиты изоляции обмотки от пробоя. [5]
Первый множитель в правой части дает вероятность того, что случайно выбранный объект находится в группе типа а. Второй множитель есть вероятность того, что объект является членом одной из пар с расстоянием между объектами от г до r дг. [6]
Первый множитель равен числу галактик, расстояние которых до центра меньше - г. Второй множитель соответствует вероятности каждой такой галактики попасть в треугольник, в котором две другие галактики находятся на расстоянии г от центра. [7]
Первый множитель учитывает перекрытие волновых функций, которое является непременным условием рассеяния. Он равен единице в случае, когда начальное состояние является собственным состоянием оператора импульса. [8]
![]() |
Распределение неосновных носителей в базе дрейфового транзистора при высоких уровнях инжекции ( штрих-пунктиром показано распределение в бездрейфовом транзисторе при низком уровне инжекции. [9] |
Первый множитель в выражениях ( 4 - 127) есть граничная концентрация неосновных носителей для бездрейфового транзистора с тонкой базой Есм. [10]
Первый множитель представляет собой прогиб балки при отсутствии продольной силы. Второй множитель, которым оценивается влияние продольной силы на прогиб, обращается в единицу при и 0 и возрастает с возрастанием и. При и я / 2 этот множитель обращается в бесконечность, что соответствует критическому значению сжимающей силы S. [11]
Первый множитель в полученном выражении беспредельно убывает со временем, и потому колебания будут постепенно затухать. [12]
Первый множитель в полученном выражении для PIKP представляет собой критическое сжимающее усилие для балки-полоски, вычисленное по формуле Эйлера. Вторым членом в скобках оценивается влияние коротких сторон пластинки на величину критических сжимающих усилий. [13]
Первый множитель всегда положителен. [14]
Первый множитель представляет собой меру легкости или трудности разделения; он велик, если эффективный коэффициент разделения р близок к единице, и мал, если р значительно отличается от единицы. [15]