Емкость - вывод
Cтраница 2
 |
Эквивалентные схемы полупроводникового диода. [16] |
На рис. 14.18 изображена эквивалентная схема р-п перехода диода, на которой обозначено: Смр и Сдиф - зарядная и диффузионная емкости; rl - сопротивление материала и выводов диода; rz - сопротивление р-п перехода, зависящее от величины и знака приложенного напряжения и Ск - емкость выводов диода. [17]
Емкости выводов в величины Сск и Сак здесь не входят. [18]
 |
Схематическое представление отклоняющей системы в виде линии задержки. [19] |
Первой мерой к снижению вредных влияний, оказываемых паразитными элементами, явился отказ от устройства выводов пластин через общий цоколь трубки и переход к коротким выводам, впаянным в колбу в - непосредственной близости от пластин. Это значительно уменьшает индуктивность и емкость выводов, а расположение оконечных Каскадов усилителей вблизи этих выводов позволяет сократить длину монтажных проводов. Такая система представляет собой, по существу, длинную линию. Если отклоняющую систему выполнить в виде нескольких па р коротких отклоняющих пластин, имеющих емкость С, соединить эти пластины, небольшими индуктив-но-стями LJI, как показано на рис. 4.12, : то. [20]
 |
Эквивалентная схема мощного СВЧ транзистора в активном. [21] |
С, С, - емкости выводов относительно корпуса; Lg, Z - Б, - К - индуктивности выводов эмиттера, базы, коллектора соответственно; ГБ - сопротивление базы; Кэ - последовательное сопротивление в цепи эмиттера; Г - эквивалентное сопротивление коллектора - гэ - сопротивление эмиттерного перехода. [22]
Корпуса сплавных диффузионных триодов могут иметь конструкцию, аналогичную рассмотренной нами для сплавных. Такие корпуса позволяют уменьшить индуктивности и емкости выводов. [23]
 |
Изменение переходного напряжения на последовательно соединенных тиристорах. [24] |
Как и у всех полупроводниковых приборов, р-л-переходы тиристора обладают конечными емкостями. В результате неравенства этих емкостей и емкостей выводов наблюдается неравномерное распределение напряжений по. [25]
Обладает высокой термостойкостью, малыми ди-электрич. СВЧ, имеет малые значения индуктивностей и емкостей выводов. [26]
 |
Примерный эскиз подключения защитного устройства к линии. [27] |
Зависимость входного сопротивления защитного устройства от частоты имеет вид резонансной кривой. Частота собственного резонанса защитного устройства зависит от индуктивности заземляющего дросселя и емкости выводов устройства относительно земли. [28]
Величина каждой емкости зависит от размеров электродов и расстояний между ними. Кроме того, на величину междуэлектродных емкостей большое влияние оказывают размеры держателей электродов и длина их выводов. У ряда ламп емкость выводов может составлять от 20 до 50 % общей емкости между электродами. Междуэлектродные емкости прпемно-усилительных триодов имеют величину порядка нескольких пикофарад. [29]
Страницы: 1 2