Колебательная мода

Cтраница 3

Трехмерная модель ячейки нанокристалла, включающая восемь одинаковых по размеру ромбоэдрических зерен типов 1 и 2. все грани зерен одного и того же типа кристаллографически эквивалентны. [31]

Большинство дополнительных низко - и высокочастотных колебательных мод локализовано на границах зерен. [32]

Для получения количественных оценок вклада различных колебательных мод в с -, ( Т) уравнение ( 4) записывалось для 12 температур. [33]

Следует отметить, что вклад единственной колебательной моды равен R, в то время как другие моды вносят вклад, равный только - 2 - К это отражает два вклада - кинетический и потенциальный-в энергию гармонического осциллятора. Когда она достаточно горячая, чтобы вращаться, вклад в мольную теплоемкость молекулы составляет - R. При более низких температурах вращение переходит & колебание и та же самая мода вносит нклад К; значит, понижение температуры приводит к увеличению вклада в теплоемкость выше - 2 - R, хотя полной величины R можно и не достигнуть. [34]

Следует отметить, что вклад единственной колебательной моды эвен R, в то время как другие моды вносят вклад, равный толь - - 2 - К это отражает два вклада - кинетический и потенциаль-лй - в энергию гармонического осциллятора. Когда она достаточно горячая, что-л вращаться, вклад в мольную теплоемкость молекулы составит - R. При более низких температурах вращение переходит & элебание и та же самая мода вносит вклад R; значит, понижение Емпературы приводит к увеличению вклада в теплоемкость выше - R, хотя полной величины R можно и не достигнуть. [35]

Теплоемкость затруднен кого ротора при высокой и низкой температурах. [36]

Следует отметить, что вклад единственной колебательной моды равен R, в то время как другие моды вносят вклад, равный только - R, это отражает два вклада - - кинетический И потенциальный - в энергию гармонического осциллятора. [37]

В первом приближении по q частота колебательных мод со действительна. [38]

Рассчитанные частоты колебаний растяжения связи Si - H. [39]

Анализ интенсивности пиков поглощения, обусловленных колебательной модой изгиба с вязи Si - Н2, показывает, что вклад связей Si - H2 в пик 2090 см 2 ( Si ц2090 см 1, a vSj ц 2120 см 1) в пленках a - Sq - vCv: на основе этилена больше, чем в таких же пленках на основе метана. [40]

Рассчитанные частоты колебаний растяжения связи Si-H. [41]

Анализ интенсивности пиков поглощения, обусловленных колебательной модой изгиба с вязи Si - H2, показывает, что вклад связей Si - Н2 в пик 2090 см 2 ( KSJ 2090 см 1, a jsj 2120 см 1) в пленках a - Sli - vCv: на основе этилена больше, чем в таких же пленках на основе метана. [42]

Расчет собственных частот и собственных функций даже простейших колебательных мод, изменяющих локальную плотность эллипсоида, является довольно громоздким. Вычисления очень сильно упрощаются ( и легко могут быть проведены в общем виде) для колебаний границы эллипсоида, при которых не затрагивается локальная плотность. [43]

Во-вторых, понижение энергии кристалла из-за влияния низкочастотной колебательной моды является дополнительным источником стабилизации примесей ( у нас - молекул воды) в структуре наряду с обычными энергетическими и энтропийными факторами. Этот вывод позволяет сформулировать новый взгляд на роль воды в структурах различных веществ, в частности цеолитов. Внедрение слабо связанных со структурой молекул снижает амплитуду высокочастотных мод и повышает дебаевскую температуру каркаса, следовательно, повышает устойчивость всей системы вода - цеолит. Сходные же эффекты могут быть ответственными за образование и других соединений включения, например, клатратов. [44]

Рамановское рассеяние возможно ния не только на колебательных модах, но и электронной системы. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5