Монтажная емкость

Cтраница 2

В высокочастотной модели каскада предварительного усиления междуэлектродные и монтажные емкости учтены в виде нагружающей каскад эквивалентной емкости Сэ Свых См Свх - сл, где Свых - выходная емкость транзистора рассматриваемого каскада; См - монтажная емкость; Свх сл - входная емкость следующего каскада. Наибольший вклад в Сэ вносит емкость Свх сл. [16]

Область высших частот характеризуется существенным влиянием междуэлектродных и монтажных емкостей, причем эквивалентная схема каскада принимает вид, показанный на рис. 10 - 15, в. Появление внутренней обратной связи через проходную емкость Спр приводит к зависимости входного и выходного сопротивлений от сопротивлений нагрузки и источника сигнала соответственно. [17]

Только при этих условиях удается сохранить минимальную монтажную емкость, шунтирующую нагрузку видеоусилителя и определяющую в конечном итоге его полосу пропускания и четкость изображения. Для привязки видеосигнала к уровню черного параллельно резистору J. Для правильной работы схемы привязки анод этого диода должен соединяться с конденсатором C22I и катодом кинескопа. [18]

В транзисторных усилителях в отличие от ламповых монтажная емкость значительно меньше. В связи с малым входным сопротивлением транзистора ее влияние на параметры схемы сравнительно невелико. [19]

Принципиальная схема каскада на полевом транзисторе, в которой сохранены цепи, имеющие только большую постоянную времени. [20]

В транзисторных усилителях в отличие от ламповых монтажная емкость значительно меньше. В связи с этим ее влияние на параметры схемы сравнительно невелико. [21]

Схема усилителя е последовательным включением. контура ( а и эквивалентная схема контура ( б. [22]

Колебательный контур здесь образуется катушкой индуктивности, монтажными емкостями, входной и выходной емкостями ламп. Его эквивалентная схема приведена на рек. Из нее следует, что при Сдых1 Свх2 С резонансная частота контура в 2 раза выше, чем в случае параллельного включения той же индуктивности, так как эквивалентная емкость контура здесь в 4 раза меньше. [23]

Структурная схема передачи.| Входные цепи усилителей с последовательной ( о и параллельной ( б обратными связями. [24]

В усилителе при неудачном монтаже усилительных каскадов через монтажные емкости и индуктивности может возникнуть не предусмотренная разработчиком обратная связь, называемая паразитной. Для устранения этой связи применяют специальные меры, которые здесь не рассматриваются. [25]

В усилителе при неудачном монтаже усилительных каскадов через монтажные емкости и индуктивности может возникнуть не предусмотренная разработчиком обратная связь, называемая паразитной. Для устранения этой связи принимают специальные меры, которые здесь не рассматриваются. [26]

Особенности конструкции ТККГ в интегральном исполнении определяются влиянием монтажной емкости на величину крутизны управления частотой, особенно при проектировании прецизионных ТККГ ( см. § 6.2), и теплового режима на характеристики ТККГ. Для получения минимальной величины монтажной емкости, параллельной варикапу, конструкция ТККГ должна обеспечить минимальные величины емкости между выводами элементов цепи компенсации и емкости между выводами и общей шиной. Кроме того, на величину монтажной емкости, параллельной варикапу, влияет последовательность соединения элементов щели управления ( кварцевого резонатора, варикапа, корректора частоты) между собой. [27]

Основным источником методической погрешности измерения постоянной времени тк служит паразитная монтажная емкость См, шунтирующая эталонный конденсатор Сат. Для снижения этой погрешности необходимо свести к минимуму емкость между выводами эмиттер - коллектор у контактодержателя измерительного прибора, а также использовать не слишком малую эталонную емкость. [28]

Свх является суммой входной емкости лампы и шунтирующей ее монтажной емкости. [29]

Дополнения к схеме УШПР для защиты выходного транзистора от перегрузки током. [30]

Страницы: 1 2 3 4