Cтраница 1
Моделирование схемы на АВМ позволило не только описать наблюдаемые экспериментально кинетические закономерности, но и предсказать некоторые из них, до сих пор еще не полученные, и тем самым уточнить направление дальнейших исследований. Так, например, можно показать ( рис. 11, а), что введение в реакционную систему в нулевой момент времени матричного катализатора Z приводит к уменьшению индукционного периода и возрастанию максимальной скорости. Серия кривых с различными начальными концентрациями Z приведена на рис. 11, а, из которого видно, что увеличивая концентрацию Z в системе можно осуществить тримеризацию практически без индукционного периода. [1]
Для моделирования схем с ПЗС рассматривается структура, состоящая из ряда МДП-элементов, разделенных зазорами. Рассмотрим отдельно модели МДП-элемента и зазора. [2]
![]() |
Алгоритм идентификации типов участков. [3] |
Для моделирования схемы замещения важно знать, к каким ветвям воздушного зазора относятся ветви выделенных участков. Поэтому необходимо найти формальные признаки и составить алгоритм, сортирующий ветви участков и объединяющий их в ветви схемы замещения. [4]
![]() |
Настройка временной селекции по испытательному образцу. [5] |
Для моделирования схем прозвучивания при УЗ контроле сварных швов и анализа полученных в каждом конкретном случае ситуаций рекомендуется применять специальную линейку, на сменной вставке которой изображаются конкретное сечение шва и околошовная зона. Перемещение УЗ луча относительно - шва осуществляют смещением движка линейки относительно вставки. [6]
![]() |
Структурная схема модели для решения системы уравнений ( 84. [7] |
Опыт моделирования схем динамического торможения показывает, что при расчете подавляющего большинства режимов следует принимать ненасыщенными главную индуктивность и индуктивности рассеяния. Учет насыщения путей рассеяния производится выбором соответствующих значений индуктивных сопротивлений рассеяния только в тех случаях, когда ток динамического торможения в 2 - 3 раза больше номинального тока двигателя. [8]
![]() |
ЛС-структуры. а - ускоряющая цепь. б - линия задержки или интегрирующая. [9] |
При моделировании схем на дискретных компонентах в качестве моделей пассивных компонентов используются, как правило, константы, соответствующие их номиналам. В ИС для повышения точности расчетов в ряде случаев целесообразно применять более сложные модели. [10]
При моделировании схем производства большая и детальная машинная программа должна быть использована лишь в том случае, если без нее получаются бессмысленные результаты. [11]
Следовательно, для моделирования схем тиристорных коммутаторов при неизолированной нейтрали двигателя необходимо правильнее определение величин сопротивлений нулевой последовательности, которые в настоящее время, к сожалению, можно определить только экспериментальным путем. [12]
Пользуясь пакетами программ для моделирования схем, пользователь вначале с помощью редактора принципиальной схемы задает ее вид. Этот процесс в интерактивных пакетах устроен достаточно изящно: передвигая курсор по экрану, можно выбирать из специального графического окна условные изображения элементов и двумя-тремя нажатиями клавиш соединять выбранные точки схемы ( подробнее см. в § 2.5) Кроме того, пользователь может задать номиналы выбранных элементов или их типовые параметры из базы данных. [13]
Условные переходы используются для моделирования схемы принятия решений и циклов, реализуемых в прикладной программе. Возможны несколько видов условных переходов. С помощью статистических условных переходов ( например, в 80 % случаев переход на А, а в 20 % - на В) можно моделировать случаныс процессы. Условные переходы по значению выполняются в зависимости от значений параметров, счетчиков или других статистических переменных. [14]
Рассмотрим применение этого принципа при моделировании схем на биполярных транзисторах и диодах. На рис. 12, а, б показаны СЭСК транзистора и диода, соответствующие моделям ПАЭС этих компонентов. [15]