Модель - диэлектрик
Cтраница 1
Модель диэлектрика; маленькие проводящие шарик /, вставленные внутрь идеального изолятора. [1]
Уточнение модели диэлектрика означает переход к аналогичному ряду. [2]
Другое выражение для Р соответствует модели диэлектрика как совокупности положительной и отрицательной жидкостей. Выделим очень малый объем AV внутри диэлектрика. [3]
Одной из проблем при электростатическом расчете чисел гидратации является выбор модели диэлектрика. В частности, необходимо сделать разумные предположения о величине диэлектрической проницаемости внутри гидратной оболочки. [4]
Можно проанализировать и другие примеры нестационарных сред, например введенную еще Лоренцем [ б ] модель диэлектрика, дополнив ее законами изменения числа поляризующихся гармонических электронных осцилляторов и правилами их взаимного превращения. Естественно, что принципиальная схема расчета электродинамических характеристик среды не требует видоизменения по сравнению с рассмотренным выше случаем ионизированного газа. Однако математическая сторона вопроса значительно усложняется. Во-первых, приходится учитывать взаимные превращения молекул нескольких типов. Во-вторых, из-за отличия действующего поля от среднего макроскопического нужно вводить поляризационную поправку. При этом приближенное математическое решение удается построить, только наложив условие медленности изменения свойств среды за времена релаксации рассматриваемых осцилляторов. [5]
В действительности каждая молекула среды - система с бесконечным спектром собственных частот; с позиций квантовой физики модель диэлектрика может быть уточнена. [6]
Критический рост концентрации свободных носителей заряда и температурный гистерезис при переходе пз диэлектрической фазы в металлическую м-г 1 быть объяснены в модели эксптонного диэлектрика. Как было показано Моттом, электронный спектр кристалла с небольшим перекрытием двух зон подобен полуметаллу, что способствует локализации электронно-дырочных пар в виде экситонов. Их образование в кристаллической решетке повышает поляризуемость, электронная составляющая которой пропорциональна кубу рассто - Я ] - ия электрона от положительного заряда. С изменением поляризуемости изменяется и фононный спектр кристалла, поскольку возрастает его диэлектрическая проницаемость. [7]
Следует, впрочем, отметить, что в силу макроскопического подхода, применяемого в теории Онзагера - Кирквуда - Фрелиха, указанная выше модель диэлектрика не является слишком грубой ( см. [18, 7]), а упрощения при выводе формулы ( 3 1) не существенны при описании свойств диэлектрика в области слабых полей. [8]
Если же угол потерь велик, то расчетная величина емкости ( а следовательно, и диэлектрической проницаемости, если последняя вычисляется из значения емкости и геометрических размеров диэлектрика) зависит от выбора модели диэлектрика и, таким образом, становится величиной неопределенной. Величина tg б от избранной схемы замещения не зависит. [9]
При малом угле потерь, опять-таки пренебрегая величиной tg2 б, мы будем иметь CS CP; если же угол потерь велик, емкость ( а следовательно, и диэлектрическая проницаемость, если она вычисляется по емкости) становится величиной неопределенной, зависящей от выбора модели диэлектрика с потерями, причем всегда С8СР; RbRp - Величина tg6, естественно, не зависит от избранной схемы замещения. [10]
Под действием электрических сил заряды в диэлектрике лишь немного смещаются или изменяют свою ориентировку. Например, моделью диэлектрика может служить. [11]
В работах Бахшиева эта энергия оценивается на основе модели диэлектрика Онзагера-Беттхера, в которой при вычислении эффективного поля, действующего на молекулу, учитывается реактивное поле, создаваемое в окружающем диэлектрике самой рассматриваемой полярной молекулой. [12]
Эти данные подтверждают, что приповерхностные слои имеют повышенное значение проводимости. В таком случае процесс релаксации заряда может быть в первом приближении описан моделью двухслойного диэлектрика со значениями проводимости yi и у2, диэлектрической проницаемости BI и е2, толщины первого hi и второго Л2 слоев и заряда а на границе их раздела. [13]
Кроме заданного заряда, распределенного с плотностью р, там имеются еще связанные заряды дипольной модели диэлектрика, которым припишем плотность рсв. [14]
 |
Расчетная модель границы раздела антрацен / раствор. [15] |
Страницы: 1 2