Модель - эберс
Cтраница 1
Модели Эберса - Молла, управления зарядом, Кхоша - Ашара и 1 я-секция Линвилла дают идентичное описание статических и переходных характеристик транзистора. [1]
Модель Эберса и Молла и ее описание представлены в гл. Поскольку нас в данном случае интересует модель для постоянного тока, последняя получается путем исключения барьерных и диффузионных емкостей. [2]
Модель Эберса - Молла является наиболее распространенной, ее простейший вариант для п-р-л-транзистора показан на рис. 4.26. Диод VD1 моделирует свойства эмиттерного перехода, а диод VD2 - коллекторного. [3]
 |
Модифицированная мо - Дель Эберса и Молла. [4] |
Первоначально модель Эберса и Молла была предложена для работы транзистора при постоянном токе. Впоследствии эта модель была дополнена элементами, отражающими накопление заряда в базе и изменение пространственного заряда в р-и-переходах. В результате модифицированная модель, представляющая собЬй электрическую схему, показанную на рис. 4.26, отражает как статический, так и динамический режимы работы транзистора при большом сигнале. [5]
Рассмотренная дополненная модель Эберса - Молла содержит, кроме элементов упрощенной модели, постоянные сопротивления, позволяющие более точно моделировать наклоны внешних характеристик, а также пять емкостей, учитывающих эффекты накопления зарядов. [6]
Семейство моделей Эберса - Молла относится к электрическим моделям. Наряду с упрощенными ( рис. 2.39, 2.41) эти модели широко применяются в современных машинных комплексах анализа схем, обеспечивая приемлемую точность при решении ряда практических задач. Для дальнейшего увеличения точности модели в последней необходимо учитывать такие эффекты, как модуляция ширины базы, зависимость коэффициента усиления по току от тока, зависимость компонентов модели от рабочей точки и температуры, а также постоянных времени rN и tf от токов транзистора в нормальном и инверсном режимах. [7]
 |
Принципиальная ( а и расчет-пая ( б схема логического элемента. [8] |
Описание модели Эберса и Молла дано в гл. [9]
Достоинство нелинейной инжекционной модели Эберса - Молла в том, что она позволяет прочувствовать процессы, происходящие в транзисторе. Диоды Д и Д2 модели отражают переходы база - эмиттер и база - коллектор. [10]
 |
Инжекционный ( а и передаточный ( б варианты упрощенной модели Эберса - Молла.| Модифицированная упрощенная модель эберса - Молла с одним генератором тока ( а и линейная гибридная я-мо. [11] |
Рассмотрим несколько вариантов моделей Эберса - - Молла, которые условно можно разделить на упрощенные и дополненные, учитывающие эффекты накопления зарядов в транзисторе. [12]
 |
Эквивалентная схема биполярного транзистора по модели Эберса-Молла. [13] |
При построении эквивалентной схемы транзисторов наиболее широко используется нелинейная инжекционная модель Эберса - Молла. [14]
Основными недостатками моделей транзистора, полученных путем модификации модели Эберса - Молл а, являются отсутствие непосредственной физической интерпретации таких параметров, как / э 0, / к-0, faN, faH, и синтез конфигурации эквивалентной схемы на основе эмпирического подхода. Следствием этих недостатков являются трудности определения формул связи ряда электрических и структурных параметров модели и невозможность построения более точных многосекционных моделей путем развития двухсекционной модели Эберса - Молла. [15]
Страницы: 1 2 3