Паразитная емкость - схема - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Когда ты по уши в дерьме, закрой рот и не вякай. Законы Мерфи (еще...)

Паразитная емкость - схема

Cтраница 1


1 Оптимальная форма импульса на выходе индуктивной дифференцирующей цепи. [1]

Паразитная емкость схемы, состоящая из выходных и входных емкостей, емкости монтажа и пр.  [2]

3 Изменение формы импульсов при искажениях частотной характеристики усилителя.| К пояснению согласования усилительных каскадов.| Схема с общим эмиттером. [3]

Паразитные емкости схемы сравнительно слабо влияют на переходные процессы в транзисторных каскадах вследствие их небольших входных и выходных сопротивлений.  [4]

Паразитные емкости схемы оказывают влияние на работу ограничителя, растягивая фронт и спад поступающих на вход импульсов.  [5]

Решающий усилитель за счет паразитных емкостей схемы представляет апериодическое звено, с некоторой постоянной времени т, которая и определяет величину динамической погрешности.  [6]

АС - отклонение величины паразитной емкости схемы ( практически это отклонение лежит в пределах АС 0 05 - - 0 5 пф) А / / / - стабильность частоты генератора.  [7]

В результирующую емкость входит также паразитная емкость схемы С.  [8]

Быстродействие элемента определяется временами перезарядки паразитных емкостей схемы и временами рассасывания избыточных зарядов в насыщенных транзисторах.  [9]

Для того чтобы исключить влияние паразитных емкостей схемы, а также входной емкости измерительного прибора, целесообразно включить эти емкости в емкость рассматриваемого колебательного контура.  [10]

В отличие от генератора строчной развертки паразитная емкость схемы мало влияет на форму отклоняющего тока.  [11]

12 Диодный переключа. [12]

Быстродействие диодного ключа определяется процессами перезарядки паразитных емкостей схемы и переключения диодов. Малые перепады напряжения на элементах схемы и низкоомные нагрузки обеспечивают быструю перезарядку паразитных емкостей. Высокую скорость переключения имеют современные импульсные пленарные диоды с тонкой базой и диоды Шоттки. Примером диодов с тонкой базой является диод КД512А, имеющий время восстановления обратного сопротивления 1 не. В диодах Шоттки отсутствует явление накопления и рассасывания заряда.  [13]

Очевидно, что РУ за счет паразитных емкостей схемы представляет собой апериодическое звено с некоторой постоянной времени Т, которая определяет динамическую погрешность. Постоянная времени РУ может быть определена при подаче на вход усилителя напряжения в форме единичной функции.  [14]

На форму Генерируемых импульсов определенное влияние оказывают паразитные емкости схемы, куда входят межэлектродные емкости ламп, емкости монтажа и нагрузки. Они замедляют изменение напряжений в мультивибраторе, так как их заряд и разряд занимает определенное, хотя и весьма малое время.  [15]



Страницы:      1    2    3    4    5