Паразитная емкость - транзистор
Cтраница 1
Паразитные емкости транзистора и нагрузки обусловливают конечные значения длительности фронта и среза выходного сигнала. [1]
Паразитные емкости транзистора и нагрузки обусловливают конечные значения длительности фронта и сре - - и за выходного сигнала. [2]
Величина допустимого усиления каскада зависит от внутренней паразитной емкости транзистора, которая называется емкостью коллекторного перехода. В справочниках она обозначается как Ск. [3]
Параметры этой цепочки находятся в прямой зависимости от паразитных емкостей транзисторов. [4]
Как показано ( см. § 4.3), при увеличении частоты из-за влияния паразитных емкостей транзисторов одновременно с падением коэффициента усиления увеличивается и фазовый сдвиг между входным и выходным напряжениями. [5]
При подаче сигналов на вход ОУ ( рис. 6.15) через полевой транзистор VT1 на выходе схемы возникают импульсные помехи, связанные с паразитными емкостями транзисторов. В результате на обоих входах ОУ возникают одинаковые помехи. [6]
 |
Схема ключа с внутренней емкостью.| Форма импульса на ключе с внутренней емкостью. [7] |
Мощность рассеяния в транзисторе незначительна по сравнению с мощностью, отдаваемой в нагрузку. Паразитные емкости транзистора сравнительно малы, но вследствие накопления носителей инерция ключа, если не принимать специальных мер, может быть значительной. [8]
Основное влияние на эту величину оказывает процесс выключения схемы, при котором заряжаются выходная емкость схемы и емкость нагрузки. Поэтому задержка определяется значениями емкостей транзисторов, паразитных емкостей транзисторов и резисторов, емкости нагрузки, граничной частоты транзисторов, потребляемой мощности и логического перепада. [9]
Частично компенсировать паразитные выбросы напряжения удается путем подачи в нагрузку через дополнительную емкость, эквивалентную С, противофазного напряжения коммутации. Однако полную компенсацию обеспечить обычно не удается из-за изменения паразитных емкостей транзистора с температурой. [10]
Для резонансного каскада усиления ВЧ или ПЧ на данной частоте и для выбранного типа транзистора максимальное усиление каскада не должно превышать вполне определенной величины. В свою очередь, величина максимально допустимого усиления зависит от величины внутренней паразитной емкости транзистора, существующей между коллектором и базой. Эта емкость называется емкостью коллекторного перехода и обозначается Ск. Емкость Ск создает внутреннюю обратную связь, когда некоторая часть переменного тока коллектора ответвляется через нее в базу. [11]
Для резонансного каскада усиления ВЧ или ПЧ на данной частоте и для выбранного типа транзистора максимальное усиление каскада не должно превышать вполне определенной величины. В свою очередь, величина максимально допустимого усиления зависит от величины внутренней паразитной емкости транзистора, существующей между коллектором и базой. Эта емкость называется емкостью коллекторного перехода и обозначается Ск. Емкость Ск создает внутреннюю обратную связь, когда некоторая часть переменного тока коллектора ответвляется через нее в базу. [12]
Дифференциатор ( рис. 15.45, а) построен на основе транзисторного каскада с ОБ. Как видно из рисунков, амплитуда выходного сигнала пропорциональна частоте. На высоких частотах при С1 10 нФ наблюдается явление резонанса, которое обусловлено паразитными емкостями транзисторов. [13]
При работе МЕП-транзисторов в импульсном режиме время их переключения определяется временем пролета электронов через канал и временем перезарядки нагрузочной емкости. Чем больше крутизна, тем больше ток стока при заданном напряжении на затворе и тем быстрее перезаряжается нагрузочная емкость. Повышение быстродействия арсенид-галлиевых цифровых микросхем по сравнению с кремниевыми обусловлено главным образом увеличением крутизны используемых в них МЕП-транзисторов, а также уменьшением времени пролета и паразитных емкостей транзисторов. [14]
Страницы: 1