Суммарная паразитная емкость

Cтраница 1

Эпюры в цепи логических элементов на МДП-транзи-сторах при их переключении. [1]

Суммарная паразитная емкость Спз, шунтирующая выходную цепь элемента, складывается из выходной емкости данного элемента и входной емкости элементов, подключенных к выходу рассматриваемого элемента. [2]

Величина суммарной паразитной емкости межкаскадной цепи С0, шунтирующей анодную нагрузку усилительной лампы, обычно лежит в пределах 10 - 35 пф. [3]

Логические ИМС на комплементарных транзисторах КМОПТЛ с параллельным ( а и последовательным ( б включением логических транзисторов. [4]

При значительном увеличении числа нагрузок увеличивается постоянная времени заряда суммарной паразитной емкости нагрузки, что ведет к снижению быстродействия схемы. [5]

В данной схеме эти емкости включены параллельно и образуют общую суммарную паразитную емкость СП С СД. [6]

Ом, б 5Ш Ом, С - 0, суммарная паразитная емкость, приведенная к коллекторной обмотке, Coi. [7]

Усилительная способность лампы достаточно хорошо определяется отношением крутизны ее характеристики S к суммарной паразитной емкости С0, шунтирующей анодную нагрузку. В емкость Со входит емкость монтажа См, которую заранее трудно точно определить. [8]

Задержка включения ( t3 вкл) определяется здесь в основном временем перезаряда током IRO суммарной паразитной емкости С А, включенной между точкой А и землей ( показана пунктиром на рис. 6.6, а), до момента отпирания транзистора. Величина t3 вкл может оказаться весьма существенной, так как данная схема благодаря наличию смещающих диодов обладает большим запасом по запиранию транзистора и для перезаряда емкости СА до отпирания транзистора может потребоваться значительное время. Однако это приводит к увеличению потребляемой мощности. [9]

При малой требуемой величине перепадов управляющего входного, а, следовательно, и выходного напряжений ( десятые доли вольта) перезаряд суммарных паразитных емкостей происходит за весьма короткое время. Действительно, уменьшение перепада напряжения на коллекторе при фиксированной величине коллекторного тока позволяет уменьшить значение RH, а, следовательно, величину постоянной времени перезаряда паразитных емкостей, подключенных к выходам переключателя тока. [10]

Динамические емкости и индуктивность рассеяния зависят от схемы и конструкции обмоток, от расположения обмоток относительно друг друга и от числа витков. Емкости можно уменьшить, разнося обмотки, но при этом возрастает индуктивность рассеяния. Емкости обмоток не так уж заметно увеличивают суммарную паразитную емкость, так как в последнюю входит еще емкость нагрузки, емкость монтажа, паразитные емкости усилительных элементов. [11]

Наличие паразитных емкостей может вызвать несимметрию показаний результата измерений равных, но разнополярных напряжений на аналоговом входе. Этот эффект проявляется в большей степени, если между выводами 32 и 35 приложено синфазное напряжение. Если вывод 35 и 36 соединить с выводом 21 ( общий), то при Соп 0 1 мкФ суммарная паразитная емкость составляет 5 пФ, что вызывает дополнительную погрешность преобразования не более 0 1 ед. [12]

Упрощенная ( пассивп. я эквивалентная схема транзистора и график, поясняющий ее работу. [13]

Для маломощных транзисторов емкость Сбк колеблется в пределах от 2 до 100 пф, тогда как емкость СбЭ составляет обычно 30 - М50 пф. Однако, несмотря на то, что емкость эмиттерного перехода оказывается сравнительно большой, ею можно часто пренебречь из-за малости сопротивления гэ, параллельно которому она подключена. Емкость коллекторного перехода CRK является проходной емкостью транзистора и играет большую роль в схеме с общим эмиттером. Поскольку значение эквивалентной входной емкости каскада составляет Свх якв Сбз Спар / иС бк, где Спар - суммарная паразитная емкость входной цепи; Ки - коэффициент усиления каскада по напряжению. [14]

Страницы: 1