Cтраница 1
Переходные процессы в инверторе с форсирующей емкостью. [1] |
Ускоряющая емкость в какой-то мере приближает токи управления транзистором к идеальному сигналу ( см. рис. 3.10) и включается параллельно сопротивлению цепи базы, как показано на рис. 4.5, а. [2]
Варианты входных цепей инверторов. [3] |
Ускоряющие емкости используют для форсирования переходных процессов во многих импульсных схемах с резистивными связями. [4]
Ускоряющая емкость Ск уменьшает время переключения схемы, увеличивая сигнал на входе транзистора, который должен быть закрыт. [5]
Ускоряющую емкость в цепи базы Сб, как и емкость в цепи эмиттера, выбирают так, чтобы не наблюдалось заметного увеличения длительности фронта из-за быстрого спада тока базы, с одной стороны, и увеличения времени рассасывания из-за роста степени насыщения, с другой стороны. [6]
Эквивалентная схема триггера в начальном состоянии ( участок / на 3, триод Тг заперт.| Эквивалентная схема. [7] |
Роль ускоряющей емкости С оценивается при динамическом анализе схемы, поэтому в дальнейшем будем считать ее отсутствующей. [8]
Эффективность ускоряющей емкости зависит от отношения RK / R: если отношение велико, то влияние ускоряющей емкости незначительно. [9]
Величина ускоряющих емкостей зависит от способа запуска триггера. Если триггер запускается положительным импульсом в базу открытого транзистора, то всегда мощность источника запускающих импульсов берется такой, чтобы обеспечить требуемый обратный ток базы, необходимый для достижения малого времени рассасывания и быстрого времени спада в активной области. Ускоряющая емкость может быть небольшой, так как включение другого транзистора происходит всегда довольно быстро только за счет постоянного управляющего тока, а слишком большой емкостной ускоряющий ток не нужен. Но если триггер запускается отрицательным импульсом в базу закрытого транзистора, быстрое выключение другого транзистора достигается в основном за счет емкостного тока, вводимого в его базу коллектором включаемого транзистора. [10]
Благодаря ускоряющей емкости длительности переходных процесса уменьшаются примерно а порядок ( ср. [11]
Величины ускоряющих емкостей Ci могут быть вычислены так же, как на стр. [12]
Определим теперь ускоряющую емкость. [13]
Благодаря действию ускоряющей емкости в схеме РЕТЛ время рассасывания сокращается до пренебрежимо малой величины. [14]
Благодаря наличию ускоряющих емкостей входы всех схем и имеют малое сопротивление для таких выбросов. Следовательно, эти выбросы распространяются через цепочку таких каскадов, увеличиваясь по амплитуде после каждого каскада. При таком условии емкостной ток, поступающий в точку разветвления, меньше; транзистор находится в состоянии более глубокого насыщения, и несколько входов, находящихся при нижнем уровне, поглощают большую часть емкостного тока, оставляя для базы значительно меньшую долю. [15]