Трехступенчатая модель - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Если у тебя прекрасная жена, офигительная любовница, крутая тачка, нет проблем с властями и налоговыми службами, а когда ты выходишь на улицу всегда светит солнце и прохожие тебе улыбаются - скажи НЕТ наркотикам. Законы Мерфи (еще...)

Трехступенчатая модель

Cтраница 1


Трехступенчатая модель объясняет также высокую поверхностную чувствительность метода. Действительно средняя длина свободного пробега электрона в твердом теле ( Я) невысока и в зависимости от кинетической энергии варьируется от 1 до 3 нм.  [1]

2 Схема метода определе ния k в предположении, что зоны проводимости подобны зонам сво бодных электронов. Рассматрива ются два различных фотона ( Ншг и Низ, приводящие к переходам с одинаковыми Ev, но различными ЕС1 и ЕС2 ( в схеме расширенных зон k отличаются на вектор обратной решетки.| Сравнение структуры валентной зоны Ge, определенной с помощью УФЭС с угловым разрешением, с теоретическими результатами ( сплошные линии. Большими ( малень кими кружками обозначены сильные ( слабые пики. [2]

Оставаясь в рамках трехступенчатой модели, рассмотрим теперь противоположный случай, когда k совсем не сохраняется.  [3]

Многие особенности фотоэмиссионных спектров можно понять, если для интерпретации выбрать упрощенный подход, известный под названием трехступенчатой модели. В ней процессы возбуждения фотоэлектрона, его движения к поверхности и выхода через поверхность в вакуум считаются независимыми и происходящими последовательно. Хотя это сильно упрощает то, что на самом деле происходит при возбуждении электрона внутри твердого тела, эта модель сыграла положительную роль при объяснении многих свойств фотоэлектронных спектров.  [4]

Наиболее часто для определения структуры валентной зоны в трехмерных полупроводниках с помощью СФУР используется метод, базирующийся на сохранении трех компонент fe, что следует из трехступенчатой модели. Поскольку парабола является просто аппроксимацией к более высоким зонам проводимости, ее дно не соответствует дну истинной зоны проводимости. Вблизи этого дна поведение электронов в зоне сильно отличается от поведения свободных электронов ( см. гл. Поэтому энергия дна параболы свободных электронов является просто подгоночным параметром, не имеющим ясного физического смысла.  [5]

Во избежание таких недостатков разработаны варианты моделей, в которых используется переменный темп роста дивидендов. Существуют двух - или даже трехступенчатые модели, в которых стоимость акций рассматривается как поток будущих дивидендов. Таким образом, варианты модели оценки стоимости акций с переменным темпом роста дивидендов рассчитывают приведенную стоимость дивидендов и приведенную стоимость будущего курса акций ( который, в свою очередь, рассчитывается как функция от всех будущих дивидендов, поступающих к инвестору бесконечно долго во времени) на основе формулы оценки дивидендов, растущих постоянным темпом.  [6]

На рис. 10.5 показано уменьшение темпов роста общих затрат. График единичных затрат ( не показан) изображается как трехступенчатая модель, спускающаяся слева направо.  [7]

На рис. 106 и 107 изображены модели одноступенчатого и трехступенчатого стальных насосов. Первая модель сконструирована по образцу стеклянных насосов с обращением струи паров ртути, поступающих по центральной трубке. В другой, трехступенчатой модели первая и вторая ступени представляют собой насосы с довольно узкими соплами. Последняя ступень выполнена в виде кольцеобразного сопла знакомой нам формы очень большого сечения.  [8]

На эмиссию электронов из приповерхностной области заметное влияние оказывают поверхностные состояния и потенциалы, а также ориентация поверхностных молекул. Эта чувствительность к состоянию поверхности позволяет отличить поверхностную фотоэмиссию от объемной. Возможность такого разделения важна, поскольку широко используемая трехступенчатая модель ( см. гл.  [9]

В случае фотоэлектронной спектроскопии с интегрированием по углам в анализатор должны попадать электроны с большим диапазоном углов ве и ( ре для того, чтобы сохранение fey не ограничивало зондируемые состояния валентной зоны. Легко видеть ( задача 8.3), что в случае рентгеновской фотоэмиссионной спектроскопии ( т.е. при возбуждении линией 1487 эВ Ка А1), даже при малых диапазонах 9G и ( pG ( - 5), используемых при УФЭС с угловым разрешением, сохранение fey не играет никакой роли, поскольку ke размазано по всей зоне Бриллюэна вследствие углового разрешения. Фотоэмиссия с интегрированием по углам получается автоматически при измерении поликристаллических образцов. При интерпретации интегрированных по углу спектров фотоэмиссии обычно используется трехступенчатая модель. Если рассматривается малый диапазон энергий первичных электронов, соответствующий ширине валентных зон полупроводников ( - 10эВ), то как правило можно предположить, что транспорт к поверхности и прохождение через нее не зависят от начальной энергии.  [10]

Рс располагается параллельно поверхности подложки. Исследования кривых распределения фотоэлектронов Zn - Рс по энергии показывают, что Зс. Zn дают вклад в плотность состояний валентной зоны, а сравнение данных для систем металл - Рс с данными для свободных атомов обнаруживает наличие экранирования и гибридизации в органическом соединении. Например, в системе металл - Рс повышается вероятность возбуждения из 3d - в 45-состояния по сравнению со свободным атомом металла. Аналогичным путем было обнаружено, что в системе Си - Рс число пустых 4 -состояний меньше, чем в Zn - Рс, поскольку в последней системе переходы 3d - 45 являются более сильными, чем в первой. Во многих работах по фотоэмиссии используется трехступенчатая модель Бергланда - Спайсера ( см. разд. Полезное обсуждение этой модели проведено в работе Загрубского и др. [289], в которой на примере антрацена показана необходимость учета роли структурных дефектов.  [11]



Страницы:      1