Cтраница 4
Авторы предложили идеализированную модель процесса образования пузыря, которая представлена на рис. 1.18, а. В начальный момент времени центр пузыря находится в точке, в которую помещен точечный источник газа. Расширяясь, пузырь одновременно двигается вверх за счет действующих на него сил. [46]
Соответствующая сильному взрыву идеализированная модель будет характеризоваться малыми значениями импеданса. [47]
![]() |
Эквивалентная схема идеализм-рованного транзистора. [48] |
Выше была рассмотрена идеализированная модель транзистора. Идеализация заключалась не только в том, что модель считалась одномерной, но и в том, что не учитывались объемные сопротивления слоев. Сопротивления слоев эмиттера и коллектора существенны только в некоторых ключевых режимах ( см. гл. [49]