Зарядная модель

Cтраница 1

Зарядная модель полностью соответствует модели Линвилла с сосредоточенными параметрами. Она, как и модель, Линвилла, основана на принципе наложения прямого и инверсного режимов работы транзистора. В общем случае зарядная модель позволяет выразить токи транзистора через заряды неосновных носителей, инжектированных в базу из эмиттера и коллектора. [1]

Таким образом, зарядная модель позволяет выразить зависимость токов транзисторов от нормального и инверсного зарядов носителей, инжектируемых в базу транзистора. [2]

В программе CIRCUS используется электрическая модель эквивалентная зарядной модели и модели Линвилла. [3]

Модель Быофоу - Спаркса, называемая также зарядной моделью, представляется уравнениями, связывающими токи, напряжения, заряды и время. Эквивалентная схема характеризуется избыточным количеством ветвей и использует источники тока, выражаемые через коэффициенты а, а и заряды. В модели Бьюфоу - Спаркса сохраняются недостатки модели Эберса - Молла. [4]

Модель Линвилла с сосредоточенными параметрами для диода. [5]

Итак, модель Линвилла с сосредоточенными параметрами, так же как и зарядная модель, не учитывает инерционности установления распределения плотности неосновных носителей в базе диода при изменении напряжения на переходе и поэтому может применяться при сравнительно медленном изменении напряжения. [6]

Как это будет показано далее, электрическая модель, эквивалентная модели Линвилла и зарядной модели, имеет преимущество по сравнению с моделью Эберса и Молла, поскольку она позволяет точнее отразить влияние режимов работы транзистора. [7]

Ниже приведено сравнение одномерных нелинейных моделей транзистора: физической модели ( двухсекционной модели Линвилла), зарядной модели и эквивалентной первым двум электрической модели, а также модели Эберса и Молла. Даются эквивалентные схемы и уравнения рассмотренных моделей, а также соотношения их параметров. [8]

В последующих разделах данной главы излагается теория основных типов нелинейных моделей биполярных транзисторов - модели Линвил-ла, зарядной модели и модели Эберса и Молла, рассматриваются линейные одномерные модели транзистора. Далее рассматриваются видоизменения модели Эберса и Молла, позволившие применить ее для анализа интегральных схем. Описываются некоторые более совершенные модели, отражающие свойства планарного транзистора. [9]

В результате рассмотрения структуры и характеристик планерного транзистора при работе в условиях низких и высоких уровней инжекции и различных транзисторных моделей приходим к выводу, что модели первого поколения, основанные на теории идеального транзистора ( модель Эберса и Молл а, зарядная модель, двухсекционная модель Лин-вилла), не могут быть использованы для анализа интегральных схем и других схем, включающих пленарные транзисторы без внесения коррективов. [10]

Модель Линвилла с распределенными параметрами точнее остальных отражает распределение плотности носителей в базе при быстрых изменениях напряжений на переходах транзистора. Модель Линвилла с сосредоточенными параметрами и эквивалентные ей модель Эберса и Молла и зарядная модель отличаются от распределенной модели Линвилла тем, что в них не учитывается инерционность установления распределения плотности носителей в базе. Однако ввиду сложности модель Линвилла с распределенными параметрами на практике применяется редко. [11]

Страницы: 1