Cтраница 3
На рис. 1.4 показана зонная модель беспримесного полупроводника. [31]
На рис. 1.7 показана зонная модель примесного полупроводника с электропроводностью п-типа. В этом кристалле пятые валентные электроны примесных атомов располагаются на так называемом примесном уровне, который находится на расстоянии AWn от зоны проводимости. При комнатной температуре почти все электроны с примесного уровня переходят в зону проводимости. В результате заполнения зоны проводимости электронами примесного уровня кривая распределения Ферми - Дирака, а также уровень Ферми WF смещаются вверх. [32]
На рис. 1.8 показана зонная модель примесного полупроводника с электропроводностью р-типа. У этого полупроводника на расстоянии AW p от валентной зоны появляется разрешенный примесный уровень, который заполняют валентные электроны, захватываемые трехвалентными атомами. При комнатной температуре многие валентные электроны переходят на примесный уровень, что приводит к появлению большого количества дырок. В результате кривая распределения Ферми - Дирака и уровень Ферми смещаются вниз. [33]
![]() |
Зонная модель и функция вероятности заполнения электронами энергетических уровней в собственном полупроводнике. [34] |
На рис. 1.4 показана зонная модель собственного полупроводника. Между валентной зоной и зоной проводимости находится запрещенная зона. Посередине запрещенной зоны располагается уровень Ферми WF - энергетический уровень, функция Ферми для которого учитывает вероятность заполнения, равную 0 5 при температурах, отличных от О К. [35]
На рис. 1.7 показана зонная модель примесного полупроводника с электропроводностью n - типа. По этой модели валентные электроны атомов донорной примеси располагаются на так на зываемых примесных уровнях, которые находятся ниже дна зоны проводимости на величину энергии ДН. При комнатной температуре почти все электроны с примесного уровня переходят в зону проводимости. [37]
На рис. 1.8 показана зонная модель примесного полупроводника с электропроводностью р-типа. У этого полупроводника на расстоянии & Wр от валентной зоны появляется примесный уровень, который заполняют валентные электроны, захватываемые трехвалентными атомами. При комнатной температуре многие валентные электроны переходят на примесный уровень, что приводит к появлению большого количества дырок в валентной зоне. В результате кривая распределения Ферми-Дирака и уровень Ферми смещаются вниз. [38]
Основанная на теории МО зонная модель электронного строения металлов, полупроводников и диэлектриков может показаться не сразу очевидной всем студентам, но после ее обсуждения и объяснения она обычно усваивается. Последний раздел, посвященный силикатам, можно опустить без ущерба для усвоения важнейших понятий, но он дает хорошую возможность закрепить положение о связи между структурой и свойствами и обычно вызывает интерес у студентов. [39]
![]() |
Зависимость подвижности дырок от обратной температуры для комплекса пирен - тетрацианэтилсн. [40] |
Одним из критериев применимости зонной модели принято считать величину подвижности носителей тока. Зонная теория применима к материалам, подвижность носителей в которых превышает 1 см / в сек. Меньшие подвижности свидетельствуют о малых длинах свободных пробегов, а значит о локальности электронных состояний. [41]
Улучшение количественного соответствия между зонной моделью и опытными данными требует более точного рассмотрения рассеяния носителей, чем это возможно в настоящее время. [42]
Если принять, что справедлива зонная модель, то эта зависимость наблюдается, когда концентрация носителей не изменяется с изменением температуры в невырожденном полупроводнике с одним типом носителей. [43]
Использованная для анализа такого реактора зонная модель представляет последовательное соединение нескольких независимых зон реакции, куда приходит реакционная смесь после завершения процесса в предыдущей зоне и куда подается новая порция катализатора и / или мономера. [44]
Однако нет доказательств, что зонная модель применима к полимерам, и представление о собственной проводимости в этом случае приводит к некоторым противоречиям. Кроме того, обычное объяснение опытных значений энергии активации проводимости в понятиях зонной теории все еще недостаточно обоснованно. Недостаток данных по эффекту Холла для большинства образцов сильно затрудняет интерпретацию. [45]