Cтраница 1
Максимальная информационная емкость для ТМ-100, ТМ-200, ТМ-300, ТМ-500 приведена для одного КП. Возможно увеличение дальности связи при последовательном соединении аппаратуры. [1]
Максимальная информационная емкость частотных устройств ТУ - ТС для электрических контуров и фильтров ограничивается сравнительно небольшим числом частотных избирателей, размещаемых в рабочем диапазоне частот ( например, в телефонном канале), что вызвано трудностями реализации узкополосных избирателей. Поэтому в частотных устройствах ТУ - ТС с относительно большой информационной емкостью каждому сигналу ТУ выделяется не индивидуальная частота, а комбинация нескольких частот, при этом частоты могут передаваться одновременно или поочередно. [2]
Даны оценки максимальной информационной емкости матричных ЗУ на элементах рези-стивного типа. Рассмотрены способы выборки информации без заземления и с заземлением невыбранных шин. Получены критерии эффективности завемления невыбранных шин и применения нелинейных элементов развязки. [3]
Таким образом, максимальная информационная емкость накопителя с минимальными размерами ЭП ограничивается величиной 32 Кбит. Это означает, что создание ИС оперативной памяти большей емкости возможно только применением секционированного накопителя. [4]
С другой стороны, максимальная информационная емкость может быть достигнута в том случае, когда и сигнал обладает наибольшей возможной энтропией. Это означает, что сигнал должен обладать свойствами белого шума. [5]
Фазовые и частотные системы связи, по-видимому, будут обладать максимальной информационной емкостью, что обусловлено более полным использованием свойства когерентности излучения ОК. [6]
Важнейшими параметрами элемента памяти являются площадь, занимаемая им на кристалле, и потребляемая мощность. Для достижения максимальной информационной емкости площадь элемента, а значит, и размеры транзисторов ( длина, ширина канала и др.) должны быть минимальными. [7]
Дан сравнительный анализ характеристик элементной и технологической базы микросхем ПЗУ. Рассмотрены вопросы синтеза электрических схем узлов, организации блоков, оптимизации схем и параметров запоминающих устройств по критериям максимальной информационной емкости и быстродействию, вопросы контроля параметров ПЗУ и проектирования функциональных узлов микроэлектронной аппаратуры с использованием больших интегральных схем для ПЗУ. [8]
Иерархия ЗУ машины БЭСМ-6 состоит из индексных регистров ( 15 регистров), ассоциативного сверхоперативного ЗУ, оперативного ЗУ, буферного и внешнего ЗУ. Буферное ЗУ выполнено на магнитных барабанах и состоит из 16 блоков емкостью 32 768 чисел каждое, следовательно, ее максимальная информационная емкость составляет 512 тысяч чисел. Обмен информацией с буферным ЗУ производится массивами по 256 или 1024 числа, скорость обмена зоны 1024 числа - 20 мс. Внешнее ЗУ имеет 32 блока накопителей на магнитной ленте с информационной емкостью одного накопителя 512 000 чисел, что позволяет получить общую емкость внешнего ЗУ 16 млн. чисел. Обмен информацией с внешним ЗУ производится массивами ( зонами) по 1024 числа за 100 мс. Связь процессорной части ЦВМ с ЗУ на магнитных барабанах и лентах можно осуществлять по шести независимым каналам: обмен массивами может вестись одновременно с двумя накопителями на магнитных барабанах и четырьмя накопителями на магнитных лентах. [9]
В табл. 7.2 приведены основные параметры шести моделей ЭВМ третьего поколения ЕС ЭВМ. Их производительность изменяется в 200 раз при переходе от низшей модели ( ЕС-1010) к высшей модели ( ЕС-1060), а максимальная информационная емкость ОЗУ - в 32 раза. Байтовая разрядность низших моделей позволяет за счет последовательно-параллельной обработки информации существенно упростить технические средства. [10]
Для различных видов запоминающих устройств характерны следующие данные об объеме запоминаемой информации, плотности ее размещения, времени ее записи, считывания и поиска. В комплектах дисковых запоминающих устройств может храниться очень большая информация, до миллиардов бит; плотность записи ее составляет десятки тысяч бит на 1 смг; время поиска нужных данных порядка десятка миллисекунд, информация передается со скоростью в несколько мегабит в секунду. Максимальная информационная емкость блока накопителя на ферритовых сердечниках составляет десятки миллионов бит, минимальное время между последовательными обращениями к запоминающему устройству составляет здесь несколько микросекунд. Широко ведется сейчас разработка запоминающих устройств на ЦМД. Уже созданы запоминающие устройства на ЦМД, способные хранить информацию объемом в десятки мегабит; размеры такого накопителя не больше, чем у транзисторного радиоприемника. [11]
Далеко не во всех одномодовых волокнах используется ступенчатый профиль показателя преломления. Некоторые имеют более сложную структуру, позволяющую оптимизировать работу волокна на какой-либо одной длине волны. Например, волокно со ступенчатым профилем имеет нулевую молекулярную дисперсию на длине волны 1300 нм. Нулевая дисперсия, обсуждаемая в следующей главе, важна для создания волокна с максимальной информационной емкостью. При длине волны 1550 нм дисперсия примерно в пять раз сильнее. [12]
Теория условных параллельных проекций позволяет не задавать предварительно аппарат проецирования, а определять его непосредственно в ходе построения. Тем самым можно более свободно варьировать изображение на плоскости бумаги. Обычно один размер композиционного поля является определяющим для выбора масштаба модели. Выход изображения за пределы этого размера приводит к обрыву формы, фрагментарности показа конструкции. Необходимость соблюдения требуемых пропорций базового объема и стремление к наибольшему масштабу ( максимальной информационной емкости) при заданной системе координат приводят к некоторым трудностям компоновки. Рассмотрим для примера два варианта ограничений на размеры изображения. [13]
Совокупность элементов представляет собой информационную емкость БИС. С помощью систем шин строк X и столбцов Y возможна выборка произвольного элемента памяти. Организация БИС памяти рассмотрена в гл. Микросхемы ПЗУ хранят информацию при отключении источника питания, тогда как в микросхемах ОЗУ она теряется. Микросхемы ОЗУ делятся на статические к динамические. В первых элементы памяти могут хранить информацию сколь угодно долго, пока включен источник питания, а во вторых - ограниченное время, определяемое структурой элемента. При этом необходимо периодическое восстановление информации. Микросхемы статического типа имеют максимальное быстродействие, динамического типа обеспечивают максимальную информационную емкость и минимальную потребляемую мощность. Большая часть БИС памяти создается на МДП-транзисторах. Микросхемы памяти на биполярных транзисторах ( обычно только статического типа) имеют значительно меньшую информационную емкость, но повышенное быстродействие. [14]