Одномерная теоретическая модель
Cтраница 1
Величины г-параыетров одномерной теоретической модели можно легко выразить через ее у-параметры с помощью табл. 5.1. В качестве примера произведем расчет для полупроводникового триода с переносом носителей путем диффузии. [1]
Емкости в эквивалентной схеме одномерной теоретической модели отражают только накопление носителей в базе. [2]
Емкости в эквивалентной схеме одномерной теоретической модели отражают только накопление носителей заряда в базе. [3]
Рассмотрим, какие процессы в базе одномерной теоретической модели транзистора определяют значения параметров ее эквивалентной схемы. [4]
Знаки у коэффициентов передачи тока эмиттера одномерной теоретической модели транзистора и реального транзистора (4.83) различны в связи с отличием направлений токов в реальном транзисторе, включенном по схеме с общей базой, и условно принятыми направлениями тех же токов в эквивалентном четырехполюснике. [5]
Рассмотрим, какие процессы в базе одномерной теоретической модели транзистора определяют значения параметров ее эквивалентной схемы. [6]
Знаки у коэффициентов передачи тока эмиттера одномерной теоретической модели транзистора и реального транзистора (4.83) различны в связи с отличием направлений токов в реальном транзисторе, включенном по схеме с общей базой, и условно принятыми направлениями тех же токов в эквивалентном четырехполюснике. [7]
Рассмотрим, какие процессы в базе одномерной теоретической модели транзистора определяют значения параметров ее эквивалентной схемы. [8]
Знаки у коэффициентов передачи тока эмиттера одномерной теоретической модели транзистора и реального транзистора (4.83) различны в связи с отличием направлений токов в реальном транзисторе, включенном по схеме с общей базой, и условно принятыми направлениями тех же токов в эквивалентном четырехполюснике. [9]
 |
Эквивалентная шумовая схема транзистора с генераторами дробовых шумов перехо дов и генератором теплового шума сопротивления базы. [10] |
При этом считается, что транзистор может быть представлен в виде одномерной теоретической модели с двумя статистически связанными генераторами тока дробовых шумов, действующими параллельно эмиттерному и коллекторному переходам. [11]
В условии переключения триодного тиристора (5.9) дифференциальный коэффициент передачи тока эмиттера одномерной теоретической модели первой транзисторной структуры а зависит от напряжения на коллекторном переходе, а также от основного и управляющего токов Аналогичный коэффициент второй транзисторной структуры ci2 зависит только от напряжения на коллекторе и от основного тока. [12]
В условии переключения триодного тиристора (5.9) дифференциальный коэффициент передачи тока эмиттера одномерной теоретической модели первой транзисторной структуры сц зависит от напряжения на коллекторном переходе, а также от основного и управляющего токов. [13]
В скобках числителя (5.4) стоят выражения для дифференциального коэффициента передачи тока эмиттера одномерных теоретических моделей транзисторов. [14]
За основу построения обычно берут формальную эквивалентную схему идеализированного транзистора, называемого одномерной теоретической моделью. При изучении одномерной теоретической модели транзистора считают, что носители заряда в нем движутся по параллельным путям, а поверхностная рекомбинация только изменяет время жизни носителей. Кроме того, в одномерной теоретической модели не учитывают влияние объемных сопротивлений и токов, проходящих через барьерные емкости переходов. При таких предположениях получается, что параметры формальной эквивалентной схемы довольно просто выразить через конструктивные параметры идеализированного транзистора ( толщину базы), режим его работы, свойства материала. [15]
Страницы: 1 2