Простая модель

Cтраница 1

Простые модели существуют и для однонаправленного волокнистого материала, для которого разработаны достаточно точные методы расчета упругих характеристик. Для обоих слоев расчет дает приближенные характеристики материала. [1]

Простые модели не всегда точно отражают реальные с большим числом ионов системы, встречающиеся в практике разработки. Для более точного отражения реальных процессов осадкообразования и испытания ингибиторов используют сложные модели. Для каждого конкретного случая необходимо готовить собственную сложную модель. Но во многих случаях для оценки ингибиторов возможно использование известных запатентованных моделей. [2]

Поверхностная свободная. [3]

Простая модель для расчета физических свойств кристаллических поверхностей получается, если допустить, что межатомными силами в кристалле являются две объемноцентральные силы. [4]

Простая модель, которая могла бы объяснить такое поведение, должна иметь в основе какую-либо форму асимметрии фирм. Меньшая величина 8 означает, что будущие периоды менее важны для фирмы. Как мы видели в первом параграфе главы, один из элементов, образующих коэффициент дисконтирования фирмы, - это вероятность существования ее в будущем. Фирма, которая находится в затруднительном положении ( финансовом или ином), имеет более низкий коэффициент дисконтирования, чем стабильно работающая фирма. [5]

Механические аналоги фундаментальных моделей. [6]

Простые модели характеризуются одной реологической постоянной. [7]

Простая модель, позволящая найти время контакта при соударении изотропной сферы и композиционного материала, была предложена Муном [116], который предположил, что область контакта круговая. [8]

Простые модели, описывающие дифракцию на вакансиях и релаксацию атомов вокруг вакансии, были рассмотрены в гл. Рассмотрим теперь такую же задачу в другом аспекте, имея в виду основу для понимания ситуаций, важных для эксперимента. [9]

Простая модель будет определена здесь как такая модель, которая или является простейшей аппроксимацией реального физического объекта, или применима к анализу лишь сравнительно простых физических конфигураций частного вида. [10]

Простые модели Максвелла и Кельвина не дают точного полного описания поведения реальных сред. [11]

Простая модель рассматривает статичный рынок. Очевидно, что если монопольная власть носит временный характер - например, благодаря существенному преимуществу в издержках по сравнению с потенциальными конкурентами путем лидерства в инновациях, - то ее отрицательное воздействие на общественное благосостояние весьма сомнительно. При прочих равных условиях потери от монопольной власти тем меньше, чем быстрее проникают на рынок потенциальные конкуренты, привлеченные экономической прибылью. [12]

Температурная зависимость электропроводности СоО при постоянном давлении. [13]

Простая модель, включающая комплекс междоузельного катиона с двумя вакансиями кобальта, может объяснить [44] наблюдаемую зависимость электропроводности от давления кислорода при низких давлениях и высокой температуре ( при отрицательной величине ДЯВ), если комплексы являются преимущественно однократно ионизованными. В пользу этой модели говорит и недавнее исследование Ni: СоО [44, 83], в котором на основании рентгенографических данных обнаружено существование катионов в междоузлиях. Однако представляется преждевременным делать какие-либо общие выводы. Характеристика природы сложных дефектов в СоО и область, в которой они доминируют, требуют дальнейшего изучения. [14]

Простые модели невзаимодействующих точечных дефектов полностью объясняют экспериментальные зависимости по самодиффу-аии и электропроводности монокристаллической закиси никеля, полученные [148] в широком интервале температур ( 1182 - 1762 С) и равновесных давлений кислорода 1 0 - 5 - Ю 7 атм. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5