Cтраница 1
Одномерные модели применяют при построении приближенных методик расчета фильтрационных течений. Эти методики основаны либо на широко используемой модели неоднородного пласта, представляемого системой несообщающихся между собой прослоев или, в более общем случае, пригодным и для приближенного расчета неодномерных потоков - системой жестких трубок тока, либо на сведение двухмерных задач к одномерным усреднением исходных уравнений и введением псевдофазовых относительных проницаемостей. [1]
Одномерные модели часто используются для оценки упрощенных ситуаций, при наличии ограниченной информации о пласте, моделировании лабораторных экспериментов, для качественной оценки влияния отдельных переменных на результаты. [2]
Одномерная модель предполагает 5Э SK. Уравнение (4.64) является приближенным соотношением, которое частично соответствует неодномерной природе обычных транзисторов, таких, как сплавных и с диффузионной базой. [3]
![]() |
Трансляционное упроч - [ IMAGE ] Поверхность нагруже. [4] |
Одномерная модель, определяемая диаграммой на рис. 10.6, описывает не всякое трансляционное упрочнение, а только линейное Поэтому для полной аналогии между одноосной и пространственной моделями необходимо было бы добавить условие линейности упрочнения последней В связи с этим возникает вопрос: какие величины в случае сложного напряженного состояния аналогичны пределу упругости и остаточной деформации в одномерном случае. Обобщение понятия предела упругости на случай сложного напряженного состояния было указано в гл. [5]
![]() |
Двухмерная цепь в силовом поле. [6] |
Одномерная модель принципиально поворотно-изомерна, так как в ней каждое звено может занимать только два определенных положения по отношению к предыдущему звену. [7]
![]() |
Расчетный эскиз цилиндрической индукционной системы. [8] |
Одномерные модели позволяют хорошо изучить поверхностный эффект в телах простой конфигурации и их нагрев в однородном поле. Вычисление параметров коротких индукторов по методу магнитных схем замещения, основанное на одномерных моделях, дает приемлемые результаты для приближенного инженерного расчета наиболее распространенных индукционных систем. [9]
![]() |
Модель одномерного расслоения выпучиванием. [10] |
Одномерная модель расслоения ( рис. 4.70), разработанная Уит-комом [66], представляет собой надежную основу для оценки связи между свойствами материала и его конструкционным поведением. В частности, слоистый композит шириной 2Ь имеет область расслоения длиной 2а на всю ширину. [11]
Использованная одномерная модель не точно описывала динамику потока. [12]
Указанная одномерная модель может быть распространена и на двумерный случай. Авторы считают, что начальная стадия роста осадка заключается в образовании однородно деформированного до соответствия с подложкой слоя и теоретически находят условия возникновения такого зародыша. [13]
![]() |
Энергетические зоны в па-правлении ГЯ.| Значения потенциала для T13VS4. [14] |
Одномерная модель Серафина [8] и Адавн [10] подвергалась серьезной критике [11], однако для ТЬВХ /, основные мотивы возражений не столь существенны. [15]