Бардин

Cтраница 2

Бардин ( родился в 1905 г.) - американский физик-теоретик, дважды удостоен лауреат Нобелевской премии; в 1956 г. за создание транзистора и в 1972 г. за теориию сверхпроводимости. [16]

Бардин и Топчиев) просит разрешения ЦК ВКП ( б) направить в сентябре 1950 года в гор. Амстер дам для участия в этой конференции делегацию в составе академика Введенского Б. А. ( руководителя организации), кандидатов физико мате матических наук Прохорова A.M. и Владимирского К.В. 3 Состав этой делегации не отвечает предъявленным ей требованиям; другого состава делегации Академия наук СССР выдвинуть не может. [17]

Бардин, Купер и Шриффер производят дальнейшее упрощение этого гамильтониана. [18]

Бардин, Купер и Шриффер показали, что 2z / kBTc 3 5; это также согласуется с экспериментом. Поскольку лары образованы состояниями с противоположными спинами, сверхпроводник должен вести себя как диамагне-тик. [19]

Бардин и Петтерсон [3], Петтерсон [150, 151], а также Хатчетт, Бегелман и Саразин [91] воспользовались уравнением Навье - Стокса (4.5) для расчета деформированной структуры аккреционного диска вокруг черной дыры. [20]

Бардин, Купер и Шрифер. [21]

Бардин Иван Павлович ( 1883 - 1960) - ученый в области металлургии, академик ( 1932), Герой Соц. [22]

Однако Бардин понимал, что это только половина дела. Нужно готовиться к эксплуатации будущего комбината, а для этого необходимы кадры квалифицированных металлургов-доменщиков, сталеваров, прокатчиков, рабочих десятков других специальностей. Строительная площадка превращается в своеобразный учебный комбинат. Землекопы, каменщики, бетонщики, монтажники стальных конструкций после напряженного трудового дня садятся за книгу, за чертежную доску, слушают лекции инженеров. Часто перед ними выступает и Бардин. [23]

Так, Бардин, Купер, Шриффер [5] в согласии с более ранними результатами Бардина и Пайнса [18] сразу исходят из гамильтониана, в котором взаимодействие электронов с фоно-нами заменено прямым электрон-электронным взаимодействием. [24]

Последующая работа Бардина и Браттена [33] по германию свидетельствует о том, что поверхностные состояния сосредоточены в узкой энергетической полосе. В связи с этим приближение, согласно которому одному типу поверхностных состояний соответствует один энергетический уровень, является обоснованным. [25]

Последующая работа Бардина и Браттена [33] по германию свидетельствует о том. В связи с этим приближение, согласно которому одному типу поверхностных состоянии соответствует один энергетический уровень, является обоснованным. [26]

Структура биполярного транзистора / - - п-р-ти-па. / - эмиттерный р - - переход. 2-коллекторный р - л-переход. [27]

За изобретением Бардина, Браттейна и Шокли утвердилось название транзистор биполярный. [28]

В исследовании Бардина и сотрудников [21] также применялась скоростная киносъемка и обнаружено, что вблизи фурм в зоне горения куски кокса находятся в состоянии циркуляционного движения в потоке дутья. [29]

Зависимость ширины ют этом энергию возбуждення. А. Эти энергетической щели от темпе - r r 3. [30]

Страницы: 1 2 3 4