Cтраница 1
Бардина - Пайнса в ст, Электрон-фононное взаимодействие, с заменой величин V ( q), ( a ( q) и - 4, на их перенормированные ( в указанном выше смысле) значения. [1]
Бардина, Купера и Шриффера [5], не исследована достаточно полно. В настоящем параграфе мы покажем, что до тех пор, пока приходится иметь дело с энергией основного состояния или фермиевской ветвью спектра элементарных возбуждений, подобного типа сведение гамильтониана Фрелиха к модельному гамильтониану типа (7.2) действительно имеет место. [2]
Бардина, Купера и Шриффера, которые эти авторы получили вариационным принципом. [3]
Бардина [4] изучали влияние температуры прокаливания ( в течение 2 ч) на свойства технической окиси магния ( 93 5 вес. [4]
Бардина и ВНИЙПТхим-нефтеаппаратура разработаны технические условия ЧМТУ ( ЦНИИЧМ 1319 - 65) на биметалл сталь медь толщиной 8 - 25 мм при толщине плакирующего слоя от 10 до 25 % общей толщины. Основной слой предусмотрено изготовлять из сталей марок 10; 20К; 16ГС и 08Г2С, а плакирующий - из меди марки МЗС. [5]
Бардина и других, за которые авторы были удостоены Нобелевской премии. [6]
Бардина - Шокли; М - масса атома; Ъ - скорость звука; а - радиус первой боровской орбиты в кристалле; т0 - волновое число фонона, энергия которого равна энергии ионизации Е Константу ег можно выразить [8] через подвижность носителей тока, обусловленную рассеянием на колебаниях решетки, упругие постоянные материала и эффективные массы носителей тока. В зависимости от значений эффективных масс величина ег может меняться в 2 - 3 раза. [7]
Бардина пользовалось широкой известностью за рубежом. [8]
По Бардину и Пфанну процесс формовки коллектора триодов, изготовленных из германия n - типа, приводит к такому изменению-высоты потенциального барьера на поверхности германия, при котором увеличивается обратный ток коллектора. Это увеличение-тока коллектора усиливает электрическое поле, сходящееся у коллектора, и таким образом, вызывает эффективное стягивание к коллектору инъектируемых эмиттером дырок. Коллекторные характеристики формованного триода приведены на фиг. [9]
Иван Павлович Бардин родился 10 ноября 1883 г. в селе Широкий Уступ Саратовской губернии в малосостоятельной семье сельского портного. [10]
Иван Павлович Бардин, большой энтузиаст широкого применения кислорода в доменном и сталеплавильном производстве, вместе с другим замечательным советским металлургом акад. Несмотря на огромную занятость другими вопросами, он не оставляет кислородную проблему и в годы войны, принимая активное участие в работах специального Технического совета по внедрению кислорода в народное хозяйство. На заседаниях этого совета ученый неоднократно выступает с глубокими, содержательными докладами, доказывая выгоды внедрения кислорода. [11]
Жена Алла Александровна Бардина ( 1942 - 1990) - кандидат экономических наук, была зав. [12]
Baxter model - Бардина Bardeen model - Бардина - Купера - Шриффера сверхпр. [13]
Американские физики Джон Бардин ( 1908 - 1991), Уолтер Браттейн ( 1902 - 1987) и Уильям Шокли ( 1910 - 1989) изобретают точечный транзистор. [14]
В 1948 г. американские ученые Бардин и Браттейн создали первый усилительный полупроводниковый прибор - точечный транзистор. Позднее были разработаны плоскостные транзисторы, которые благодаря своим преимуществам вытеснили точечные. [15]