Распределенная модель

Cтраница 3

Следует еще раз указать, что в данном примере используется сосредоточенная модель теплообменников. Можно при моделировании применять и распределенную модель ( 111 50), однако расчет и моделирование при этом значительно усложняются. [31]

Вместе с тем многие задачи проектирования успешно решаются с использованием более простых математических моделей. Эти модели можно получить путем аппроксимации распределенных моделей микроуровня на основе соответствующих допущений относительно представления структуры и физических свойств объекта. При этом динамическая система с распределенными параметрами путем дискретизации в пространственных координатах представляется совокупностью материальных объектов, выделенных из сплошной среды, - дискретных элементов с постоянными усредненными параметрами. Такую систему называют динамической системой с сосредоточенными параметрами. [32]

Вышеизложенные модели процессов теплообмена в топочной камере являются сосредоточенными. Более точно эти процессы можно представить распределенными моделями ( многозвенными) в виде системы уравнений большой размерности. [33]

Модель Линвилла с распределенными параметрами точнее остальных отражает распределение плотности носителей в базе при быстрых изменениях напряжений на переходах транзистора. Модель Линвилла с сосредоточенными параметрами и эквивалентные ей модель Эберса и Молла и зарядная модель отличаются от распределенной модели Линвилла тем, что в них не учитывается инерционность установления распределения плотности носителей в базе. Однако ввиду сложности модель Линвилла с распределенными параметрами на практике применяется редко. [34]

Одномерные модели транзисторов и диодов основаны на теории полупроводниковых приборов. Они делятся на распределенные и сосредоточенные модели. Распределенные модели отражают неравномерность распределения физических и структурных параметров в объеме полупроводникового кристалла и их влияние на характеристики транзистора или диода. Сосредоточенные модели исходят из усредненных параметров кристалла. [35]

В настоящей работе с помощью геометрической схемы связей выяснены основные механизмы возбуждения вибраций при сверлении и токарной обработке длинного вала. В обоих случаях при учете запаздывания методом D-разбиения выделены области - безвибрационных режимов резания в пространстве основных групп параметров, соответствующих главным механизмам возбуждения. Области устойчивости выделены также для распределенных моделей в случае сверления глубоких отверстий и обработки длинных валов. [36]

Упрощенные модели, не сокращающие исходной информации, применять нет необходимости, поскольку разница во времени расчета по полной и упрощенной модели неощутима. В соответствии с этими положениями, в частности, оказывается нецелесообразным применение сосредоточенной модели стенки с коэффициентами, приближенно учитывающими термическое сопротивление металла. Располагая информацией о сопротивлении стенки, следует проводить расчет по распределенной модели либо не учитывать его и пользоваться сосредоточенной моделью. Точно так же нет необходимости в применении сосредоточенной модели уравнения энергии газа, поскольку исходная информация не сокращается. [37]

Однако не все волоконные солитонные лазеры могут быть описаны непрерывными уравнениями. Импульс на выходе НУЗР бывает существенно деформирован, и непрерывную модель в этом случае применять нельзя. Напротив, другой тип лазера с пассивной синхронизацией мод - поляризационный лазер, не вызывает сколько-нибудь значительных возмущений солитона, и распределенная модель вполне годится. [38]

При значениях времени тт3п процесс протекает медленнее, чем при тт зп - В теории автоматического регулирования подобные явления определяют как транспортное запаздывание. Расчеты по сосредоточенной модели, естественно, не учитывают этого обстоятельства. В работе [6] предложен приближенный способ учета влияния транспортного запаздывания в таких моделях теплообменников. Расчет переходных функций, выполненный по сосредоточенным моделям с учетом транспортного запаздывания, дает результаты, близко совпадающие с расчетом по распределенной модели и с экспериментальными данными, поэтому сосредоточенные расчетные модели как более простые могут использоваться для анализа САР и при выборе оптимальных параметров настройки регуляторов. [39]

Математические модели с сосредоточенными параметрами имеют в качестве независимой переменной только время. Зависимые переменные в ММ с сосредоточенными параметрами бывают двух видов: скалярные и векторные. Переменные векторного типа представляют собой поток, проходящий через элементарное сечение модели. Для распределенных моделей ориентация имеет пространственный характер, для сосредоточенных моделей - характер входного и выходного полюсов. [40]

Модель трехслойного паразитного транзистора.| Модель паразитного диода. [41]

Полная модель интегрального транзистора, составленная на основании рассмотренных частей, оказывается сложной и ее используют только в том случае, когда требуется выяснить особенности самой транзисторной структуры. Проектирование ИМС, обычно состоящих из множества транзисторов, очевидно, практически невозможно выполнить по такой сложной модели. Эта модель еще больше усложняется, когда требуется исследовать некоторые особенности транзисторных структур, обусловленные неравномерным распределением потоков носителей вдоль электронно-дырочных переходов. Например, эффекты, вызываемые кумуляцией ( шнурованием) тока, действие распределенного потенциала базы и коллектора ( при работе в насыщении) на плотность тока, влияние пассивных областей на продолжительность времени рассасывания и др. необходимо исследовать, учитывая распределенный характер структуры транзистора. При этом составляется распределенная модель для соответствующего участка транзисторной структуры с неоднородностью в определенных направлениях. [42]

Экономичность метода решения систем АУ определяется также затратами оперативной памяти. При неучете разреженности только на хранение матрицы Якоби нужно / гг ячеек памяти. Поэтому если для одного слова используется 8 байт, то при п 100 для хранения требуется 80 кбайт, а при п 500 - уже 2 Мбайт. Итак, подтверждается вывод о необходимости учета разреженности при решении задач с пппр, где Пщ зависит от характеристик используемой ЭВМ и, как правило, составляет несколько десятков. В задачах анализа распределенных моделей, в которых п может превышать 104, экономичность метода по затратам машинной памяти становится одной из важнейших характеристик. В таких случаях применяют либо релаксационные методы, либо метод Ньютона с использованием на каждой итерации метода Гаусса, но в рамках рассматриваемого ниже диакоптического подхода. [43]

Качественный анализ и математическое моделирование динамических процессов тесно связаны с задачами структурного анализа, или ( в методологии [1,2]) структурной классификации. Здесь под классификацией традиционно понимается проблема выделения одинаковых ( в некотором формальном смысле) динамических систем ( D-систем), трактуемых экзогенно ( в конструкциях определения 1.8 [ 3, с. D-систем на классы, или их фиксированного класса на подклассы, соответствующие определенным структурным ( в понимании Бурбаки) признакам, а также указания канонического способа эндогенного ( определение 1.1 [ 3, с. Ясно, что, в концептуальном плане, для построения теоретико-множественного универсума структурной классификации можно предложить следующий petitio principii: всякому структурному изоморфизму двух экзогенных D-систем отвечает некоторая эквивалентность соответствующих им уравнений состояния. В работе [5] авторы исследовали ( в рамках задачи спектрального анализа идентификационного процесса) одну из подобных эквивалентностей, а именно, в отношении линейных недиссипатив-ных моделей управления нормально-гиперболического типа и линейных систем обыкновенных автономных дифференциальных уравнений в бесконечномерном ненормируемом пространстве Фреше. Данная работа является попыткой продвинуть и развить достигнутый в [1,5] результат в область моделирования линейных диссипативных распределенных моделей в направлении качественных результатов теории их реализации и идентификации в означенном пространстве Фреше. [44]

Страницы: 1 2 3