Cтраница 2
Ток через статическую емкость Сэс является током смещения; наличие этого тока приводит к уменьшению коэффициента инжекции у на высоких частотах. [16]
![]() |
Эквивалентная схема кварцевого резонатора. [17] |
Емкость Ср называют статической емкостью. [18]
Емкость С0 называют статической емкостью резонатора, а параметры L, R, С-динамическими, они сравнительно легко определяются. [19]
Проходная емкость Спр - статическая емкость между зажимами диода. [20]
Зависимость динамических параметров, статической емкости и емкостного отношения кварцевого резонатора ( срез AT) от размеров пластины показана на рис. 1.3 для случая пластин квадратной формы при одновременном уменьшении ширины и длины пластины, с сохранением отношения площади электродов к площади пластины. [21]
Для устранения влияния шунтирующей статической емкости кристалла применены согласующие индуктивности. Несущая частота линии 0 9 Мгц; потери в звукопроводе составляют 1 5 дб / мсек; уровень ложных сигналов на 30 дб меньше основного. Скорость поверхностной волны в материале звукопровода примерно на 43 % меньше скорости продольной волны, вследствие чего длина звукопровода в случае применения поверхностных волн, при том же времени задержки, потребуется значительно меньше. [22]
Входная емкость лампы является статической емкостью управляющей сетки по отношению к гем электродам, на которых в рабочем режиме лампы нет переменных потенциалов частоты напряжения, приложенного к цепи управляющей сетки. [23]
Статическая активность адсорбента ( или статическая емкость) характеризуется максимальным количеством вещества, адсорбированного к моменту достижения равновесия массовой или объемной единицей адсорбента при данных температуре и концентрации адсорбируемого вещества в парогазовой смеси. [24]
Статическая активность адсорбента ( или статическая емкость) характеризуется максимальным количеством вещества, адсорбированного к моменту достижения равновесия массовой или объемной единицей адсорбента при дан - ных температуре и концентрации адсорбируемого вещества в парогазовой смеси. [25]
Основным параметром высокочастотных диодов является статическая емкость Сд между внешними выводами. [26]
![]() |
Схемы замещения входного устройства высокоомного усилителя. [27] |
Обычно в готовых конструкциях величина статической емкости не превосходит 50 - 60 пф. Большей величине емкости сопутствуют большие величины паразитных емкостей или же большие габариты емкостного модулятора. [28]
![]() |
Схема с дополни-тельной индуктивностью для формирования импульсов на активной нагрузке, шунтиро-ванной индуктивностью. [29] |
С я линии, равна статической емкости отрезка гиперболической линии С щ Сст гип. [30]