Общая емкость - диод
Cтраница 1
Общая емкость диода СЛ - емкость, измеренная между выводами диода при заданных напряжении и частоте. [1]
 |
Вольтамперная характеристика точечного диода ( а и ее зависимость от изменения температу-ры ( б. [2] |
Общая емкость диода Сд - емкость, измеренная между выводами диода цри заданных напряжении смещения и частоте. [3]
 |
Блок-схема прибора для измерения емкости туннельных. [4] |
Обычно измеряют общую емкость диода, равную сумме емкостей корпуса и перехода. Так как активная проводимость туннельного диода велика, то целесообразно измерять его емкость в одной из экстремальных точек, где дифференциальной активной проводимостью диода ( при измерении на малом сигнале) можно пренебречь. [5]
Динамические параметры - дифференциальное сопротивление гд - dUldl, общая емкость диода С, емкость между выводами диода при заданных напряжении и частоте, которая включает в себя емкости Сб, СДИФ и емкость корпуса диода; граничная частота frp, на которой выпрямленный ток уменьшается в V2 раз. [6]
СВЧ Гцр д - прямое сопротивление диода по постоянному току Cogp д - обратное сопротивление диода по постоянному току г - дифференциальное сопротивление стабилитрона Гвых - выходное сопротивление СВЧ диода Гщ - шумовое сопротивление СВЧ диода диф - дифференциальное сопротивление диода Сд - общая емкость диода Собщ. [7]
Основными параметрами туннельных диодов являются максимальные / тах ( точка а ] и минимальные 1тт точка в) значения токов на вольт-амперной характеристике и соответствующие им напряжения ( Uu и Ua); значение напряжения Uг, ( точка г), соответствующее максимальному току в точке а, а также дифференциальное сопротивление КАЙФ - dU I dl, которое определяется примерно на середине участка с отрицательным сопротивлением ( участок абв общая емкость диода и максимальная частота. [8]
Основными параметрами туннельных диодов являются максимальные / П1ах ( точка а) и минимальные / min ( точка в) значения токов на вольт-амперной характеристике и соответствующие им напряжения ( Ua и [ /); значение напряжения [ /, ( точка г), соответствующее максимальному току в точке а, а также дифференциальное сопротивление Кл ф - dU / dl, которое определяется примерно на середине участка с отрицательным сопротивлением ( участок обе); общая емкость диода и максимальная частота. [9]
Емкости полупроводниковых диодов играют важную роль в случае использования диодов в импульсном режиме, а также для преобразования сигналов ( детектирования, смешения и др.) высоких и сверхвысоких частот. В качестве параметра используется общая емкость диода СД - емкость, измеренная между выводами диода при заданных напряжении смещения и частоте. [10]
Емкости диодов оказывают существенное влияние на их работу на высоких частотах и в импульсных режимах. В паспортных данных диодов обычно приводится общая емкость диода Ся, которая помимо барьерной и диффузионной включает емкость корпуса прибора. Эту емкость измеряют между внешними токоотводами диода при заданных обратном напряжении смещения и частоте тока. [11]
Простейшая схема однополупериодного выпрямителя с полупровод-гаковыми диодами показана на рис. 16.20. К диоду в общем случае может быть приложено как постоянное ( для определения рабочей точки на характеристике), так и переменное напряжение, поэтому для описания работы диода в первом случае используют статические характеристики и параметры, во втором случае - динамические. Статические параметры - это прямой выпрямленный ток, наибольшее допустимое напряжение, обратное сопротивление, максимально допустимая мощность и др. Динамические параметры - дифференциальное сопротивление гд dU / dl, общая емкость диода С, емкость между выводами диода при заданных напряжении и частоте, которая включает в себя емкости С Сдиф и емкость корпуса диода; граничная частота frf, на которой выпрямленный ток уменьшается в ] / 2 раз. [12]
 |
Вольт-амперная характеристика туннельного диода.| Простейшая схема включения туннельного диода для генерации колебаний. [13] |
Разность АС / U3 - C / t называется напряжением переключения или напряжением скачка. Токи в современных туннельных диодах составляют единицы миллиампер, напряжения - десятые доли вольта. К параметрам также относятся отрицательное дифференциальное сопротивление диода ( обычно несколько десятков ом), общая емкость диода ( единицы или десятки пикофарад), время переключения тп [ и максимальная или критическая частота / тах. [14]
Страницы: 1