Волокнистая модификация
Cтраница 1
Волокнистая модификация SiSe2 образуется при медленном. [1]
Согласно [2], волокнистая модификация VTe2 характеризуется ромбической структурой; а 6 48 А, Ъ 7 29 А, с 6 27 А. [2]
Как носитель платины обычно употребляется белый длинноволокнистый асбест, представляющий собой волокнистую модификацию минералов амфибола или хризотила. Эти минералы, особенно первый, весьма устойчивы к действию кислот и высоких температур. [3]
 |
Кристаллические друзы дов и составленных из них пластинчатой структуры парафина. [4] |
Друзы кристаллов иногда могут быть узлами кристаллической сетки. Они особенно часто встречаются для волокнистой модификации парафина. Друзы могут рассматриваться как переходная форма от монокристаллов к дендритным кристаллам. [5]
Цепи расположены по направлению волокон. Цепи SiS4 и соответственно также цепи SiC4 волокнистой модификации Si02 отличаются от цепей SiC4 волокнистых силикатов ( см. стр. Поэтому в цепях SiS4, а также в цепях Si04 волокнистой Si02 в противоположность цепям SiC4 волокнистых силикатов заряды атомов насыщены, так что каждую цепь можно рассматривать как молекулу неограниченной длины. Дителлурид кремния SiTe2 получается при нагревании смеси Si и Те в высоком вакууме, он образует красные пластинки ( d - 4 39), кристаллизуется в противоположность SiS2 и SiSe2 по типу иодида кадмия. [6]
Если кристаллизация будет протекать при температурах выше температуры перехода, при которых устойчивой является волокнистая модификация, парафин будет образовывать волокнистые кристаллы. [7]
 |
Термодинамические характеристики низкотемпературных форм кремнезема. [8] |
Было установлено, что основу структуры всех модификаций кремнезема и силикатов составляют тетраэдры [ SiOJ, сцепление которых, за исключением недавно открытой волокнистой модификации кремнезема, осуществляется через вершины. В кварце и тридимите связь имеет в основном гомеополярный характер. [9]
 |
Решетка оливина ( Mg, Fe2 [ Si04 ]. [10] |
В обычных модификациях двуокиси кремния тетраэдры Si04 всегда соприкасаются также только вершинами. Лишь в малоустойчивой волокнистой модификации Si02, которая не встречается в природе и получена только при особых условиях, тетраэдры Si04 соприкасаются ребрами ( см. стр. [11]
В обычных модификациях двуокиси кремния тетраэдры Si04 всегда соприкасаются также только вершинами. Лишь в малоустойчивой волокнистой модификации SiO2, которая не встречается в природе и получена только при особых условиях, тетраэдры Si04 соприкасаются ребрами ( см. стр. [12]
В обычных модификациях двуокиси кремния тетраэдры SiO4 всегда соприкасаются также только вершинами. Лишь в малоустойчивой волокнистой модификации Si02, которая не встречается в природе и получена только при особых условиях, тетраэдры Si04 соприкасаются ребрами ( см. стр. [13]
Внутри каждой цепи расстояние между центрами Si - S равно 2Д4А а а между Si - s - Si2 77 А. Между соседними атомами S тетраэдра расстояние равно 3 62 А. Напротив, расстояние между атомом Si и ближайшим атомом S соседней цепи составляет 4 18 А. Волокнистая модификация SiO2 метастабильна и при длительном нагревании в интервале 200 - 800 переходит в тридимит ( с сохранением волокнистого вида), а при: 1390 - в кристобалит. Такие замкнутые цепи, которые имеются в кристаллах типа SiS2, характерны для веществ с волокнистой структурой. Цепи расположены по направлению волокон. Цепи 8184 и соответственно также цепи SiO4 волокнистой модификации Si02 отличаются от цепей Si04 волокнистых силикатов ( см. стр. Поэтому в цепях SiS4, а также в цепях SiO4 волокнистой SiO2 в противоположность цепям SiO4 волокнистых силикатов заряды атомов насыщены, так что каждую цепь можно рассматривать как молекулу неограниченной длины. Дителлурид кремния SiTe2 получается при нагревании смеси Si и Те в высоком вакууме, он образует красные пластинки ( d4 39), кристаллизуется в противоположность SiS2 и SiSe2 по типу иодида кадмия. [14]
Внутри каждой цепи расстояние между центрами Si-S равно 2 14А а а между Si - - Si2 77 А. Между соседними атомами S тетраэдра расстояние равно 3 62 А. Волокнистая модификация Si02 метастабильна и при длительном нагревании в интервале 200 - 80С переходит в тридимит ( с сохранением волокнистого вида), а при 1390 -в кристобалит. При действии воды образуется метакремневая кислота ( H2Si03) n - Такие замкнутые цепи, которые имеются в кристаллах типа SiS2, характерны для веществ с волокнистой структурой. Цепи расположены по направлению волокон. Цепи SiS4 и соответственно также цепи Si04 волокнистой модификации Si02 отличаются от цепей Si04 волокнистых силикатов ( см. стр. Поэтому в цепях SiS4, а также в цепях Si04 волокнистой Si02 впроти-воположность цепям Si04 волокнистых силикатов заряды атомов насыщены, так что каждую цепь можно рассматривать как молекулу неограниченной длины. Дителлурид кремния SiTe2 получается при нагревании смеси Si и Те в высоком вакууме, он образует красные пластинки ( rf4 39) r кристаллизуется в противоположность SiS2 и SiSe2 по типу иодида кадмия. [15]
Страницы: 1 2