Барьерная емкость - эмиттерной переход
Cтраница 1
Барьерные емкости эмиттерных переходов являются причиной появления емкостных токов через эти переходы при быстром изменении основного напряжения на тиристоре. Емкостные токи не связаны с инжекцией носителей заряда, поэтому с увеличением скорости изменения основного напряжения включение тиристора должно происходить при напряжениях, больших 6 / вкло ( рис. 5.10), если учитывать только барьерные емкости эмиттерных переходов. [1]
Барьерные емкости эмиттерных переходов являются причиной появления емкостных токов через эти переходы при быстром изменении основного напряжения на тиристоре. Емкостные токи не связаны с инжекцией носителей заряда, поэтому с увеличением скорости изменения основного напряжения включение тиристора должно происходить при напряжениях, больших С / вкло ( рис. 5.10), если учитывать только барьерные емкости эмиттерных переходов. [2]
Барьерные емкости эмиттерных переходов при быстром изменении приложенного напряжения вызывают появление емкостных токов через эти переходы. [4]
Барьерные емкости эмиттерных переходов хотя и имеют большие значения по сравнению с барьерной емкостью коллекторного перехода, но на процесс включения тиристора влияют значительно меньше, так как они шунтируют малые сопротивления эмиттерных переходов, включенных в прямом направлении. Поэтому напряжение включения тиристора в открытое состояние с увеличением скорости изменения анодного напряжения уменьшается. [6]
При анализе барьерной емкости эмиттерного перехода в микрорежиме формулу (1.60) удобно представить в несколько ином виде, поскольку (1.60) не выражает в явной форме зависимости СЭбар от тока эмитте-рз. [7]
Практически барьерная емкость коллекторного перехода сказывается сильнее, так как она шунтирует большое активное сопротивление коллекторного перехода, смещенного в обратном направлении при закрытом состоянии тиристора. Барьерные емкости эмиттерных переходов сами оказываются зашунтирован-ными малыми активными сопротивлениями эмиттерных переходов, смещенных при закрытом состоянии тиристора в прямом направлении. Поэтому напряжение включения тиристора с увеличением скорости нарастания основного напряжения уменьшается. [8]
Практически барьерная емкость коллекторного перехода сказывается сильнее, так как она шунтирует большое сопротивление коллекторного перехода, включенного в обратном направлении. Барьерные емкости эмиттерных переходов хотя и имеют большие значения по сравнению с барьерной емкостью коллекторного перехода, но на процесс включения тиристора влияют значительно меньше, так как они шунтируют малые сопротивления эмиттерных переходов, включенных в прямом направлении. Поэтому напряжение переключения тиристора в открытое состояние с увеличением скорости изменения приложенного напряжения уменьшается. [9]
При подаче во входную цепь транзистора импульса прямого тока let начинается переходный процесс включения, состоящий из трех этапов. На начальной стадии включения, называемой задержкой fD ( on), происходит перезаряд барьерной емкости входного эмиттерного перехода. [10]
Барьерные емкости эмиттерных переходов являются причиной появления емкостных токов через эти переходы при быстром изменении основного напряжения на тиристоре. Емкостные токи не связаны с инжекцией носителей заряда, поэтому с увеличением скорости изменения основного напряжения включение тиристора должно происходить при напряжениях, больших 6 / вкло ( рис. 5.10), если учитывать только барьерные емкости эмиттерных переходов. [11]
Барьерные емкости эмиттерных переходов являются причиной появления емкостных токов через эти переходы при быстром изменении основного напряжения на тиристоре. Емкостные токи не связаны с инжекцией носителей заряда, поэтому с увеличением скорости изменения основного напряжения включение тиристора должно происходить при напряжениях, больших С / вкло ( рис. 5.10), если учитывать только барьерные емкости эмиттерных переходов. [12]
Одним из возможных вариантов такой модели может быть модель, элементами которой являются: генератор тока / к, представляющий собой алгебраическую сумму нормального и инверсного диффузионно-дрейфовых токов, текущих между эмиттером и коллектором через базу; диоды Det. БЫ, отражающие нормальный и инверсный рекоч-бияацион ные токи базы ( при ип-жекции носителей из эмиттера к коллектора соответственно); диог) Аи, характеризующий токи гене рации, рекомбинации носителей в эмиттерном переходе и на его поверхность; диод D K, представляющий токи, связанные инжек-цией дырок из базы в коллектор и электронов из коллектора в пассивную зону базы; емкость Сэ, являющаяся суммой барьерной емкости эмиттерного перехода и диффузионной емкости, отражающей накопление заряда в базе при инжек-ции носителей из эмиттера; емкость С /, состоящая из емкости активной зоны коллекторного перехода и диффузионной емкости, связанной с инжекцией носителей из коллектора в активную зону базы; емкость Ск, состоящая из барьерной емкости пассивной зоны коллекторного перехода и диффузионной емкости, связанной с накоплением заряда в коллекторе вследствие инжекции носителей из базы при прямом смещении коллекторного перехода. [13]
Емкость р - л-перехода принято разделять на две составляющие: барьерную и диффузионную. Емкость коллекторного перехода имеет в основном барьерный характер и может быть определена по формулам, принятым для режима номинальных токов. Барьерная емкость эмиттерного перехода СЭбар в микрорежиме имеет определенную специфику. [14]
Страницы: 1