Модуль - память
Cтраница 1
 |
Логика квитирования для систем на базе МП 8080. [1] |
Модуль памяти по этому сигналу начинает цикл считывания, в котором содержимое адресуемой ячейки появляется на шине данных. Сигнал записи в память заставляет модуль памяти начать цикл записи. Он также указывает, что шины данных и адреса содержат данные и адрес, по которому записываются данные. Любой сигнал квитирования считывания ВВ или записи ВВ означает наличие адреса порта ВВ на шине адреса. Сигнал считывания ВВ означает, что данные из адресованного порта ВВ помещаются на шину данных, а сигнал записи ВВ определяет загрузку данных с шины данных в адресованный порт ВВ. [2]
Модуль памяти проектируется из однотипных БИС. Логика управления и интерфейса с системной шиной реализуется из стандартных логических схем. Сначала рассматривается проектирование модуля с БИС статической памяти, которые проще использовать и которые имеют более простую логику управления. [3]
 |
Структурная схема 034 в режиме 16 К. [4] |
Модуль памяти выполняется на элементах памяти К565РУ5 и включает 32 ИС. Модуль разбит на два банка емкостью по 64К 16-разрядных слов. Каждый банк, в свою очередь, делится на два поля по 64 Кбайт для хранения старшего и младшего байта слова. Выбор банка осуществляется разрядом А17 шины адреса. [5]
Модули памяти, рассматриваемые отдельно, классифицируются в подсубпозициях 8542 13 110 - 8542 19 980 9 как монолитные интегральные схемы. [6]
Модуль памяти представляет полупроводниковую ОП общей емкостью 64 Кбайт динамического типа, содержит схему регенерации и контроля по паритету. Построена на 18 БИС типа 16x1 Кбит и содержит БИС управления ОП. [7]
Модуль памяти требует трех вторичных источников питания: 5 В, 12 В, - 5 В. При организации питания с использованием батареи уровень 5 В формируется двумя цепями: 5 В активная и 5 В резервная. Напряжения 12 В и - 5 В вырабатываются преобразователем уровня от цепи 5 В резервная, располагаемым в модуле памяти. В активном режиме напряжение подается на обе пя-тивольгные шины питания, а режиме хранения при прерываниях сети - только на цепи 5 В. В режиме хранения информации обращение к, ОП происходит с меньшей частотой, что снижает среднюю мощность по цепям 12 В, - 5 В. [8]
Модули памяти подключены со сдвигом во времени, так что одновременно могут работать только три блока. Сигналы начала и окончания работы передаются каждому блоку памяти раздельно. [9]
Модуль памяти требует трех вторичных источников: 5, 12 и - 5 В. При организации питания с использованием батареи уровень 5 В формируется двумя цепями: активной и резервной. Напряжения 12 и - 5 В вырабатываются преобразователем уровня от резервной цепи 5 В. Преобразователь располагается в модуле памяти. [10]
 |
Структурная схема модуля основной памяти. [11] |
Модули памяти характеризуются конструктивом, емкостью, временем обращения и надежностью работы. Важным параметром модуля памяти является его надежность и устойчивость к возможным сбоям. [12]
Модули памяти бывают с контролем четности ( parity) и без контроля четности ( поп parity) хранимых битов данных. Контроль по четности позволяет лишь обнаружить ошибку и прервать исполнение выполняемой программы. [13]
Модули памяти иногда поддерживают проверку содержимого памяти на четность. [14]
Модуль памяти ЕС-3941 представляет собой съемный блок и является автономным запоминающим устройством емкостью 64К ячеек. Каждая ячейка модуля памяти имеет 9-разрядный формат. При считывании слова из памяти обращение по одному адресу осуществляется одновременно к четырем модулям. Модуль памяти выполнен на кольцевых ферритовых сердечниках по структуре 2 5D e трехпровод-ной прошивкой. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5