Cтраница 5
![]() |
Схема для расчета потери мощности, обусловленной сопротивлением лице-ною контакта солнечного элемента. [61] |
Модули / типа могут быть получены процессом, аналогичным описанному выше, но с той разницей, что пленка a - Si не разделяется. В модуле III типа, приведенном на рис. 5.2.5, в на каждый разделенный прозрачный контакт осаждается токосборная сетка и модуль получается в том же процессе, который использовался для производства модуля / / типа. [62]
В модуле II типа элементы соединяются вдоль всей боковой границы, а пленка a - Si разделена. В модуле III типа к каждой прозрачной проводящей пленке модуля / типа добавляется токосборный контакт. Такие модули a - Si-солнечных элементов интегрального типа могут давать высокое выходное напряжение. [63]