Форсирующая емкость

Cтраница 2

В то же время установившийся заряд в базе будет соответствовать гораздо меньшему току / б1 ( сю) / 6l, гак что степень насыщения транзистора может быть небольшой. Таким образом, форсирующая емкость позволяет получить крутой толожительный фронт при слабом последующем насыщении. [16]

Таким образом, для переключения с заданной скоростью требуется дополнительный ток базы Д / 62 5 ма - 2лш0 5 ма. Этот дополнительный ток обеспечивается включением в цепь базы форсирующей емкости. [17]

Схема содержит два каскада. Один из них, собранный на транзисторе Т1, представляет собой транзисторный ключ с форсирующей емкостью; Я, и С, - элементы базовой, a R - коллекторной цепи этого каскада. Второй каскад, собранный на транзисторе Т2, служит усилителем с резистивно-емкостной R2, C2 связью. Вход ( базовая цепь) каждого из каскадов подключен к выходу ( к коллектору) другого каскада. Таким включением каскадов в мультивибраторе создается петля положительной обратной связи. [18]

Первый из них, шунтируя коллектор закрытого транзистора 77, переводит схему в открытое состояние, а второй, шунтируя базовую цепь Т1, переводит его, а следовательно, и всю ячейку из открытого состояния в закрытое. Недостатком этого способа является сравнительно медленный выход транзисторов из состояния насыщения при запирании схемы. Несколько исправляют положение форсирующие емкости. [19]

Рассмотренные схемы ключевых каскадов, обладая существенным достоинством - большим, приближающимся к единице коэффициентом использования питающего напряжения / Си, в то же время имеют и недостаток - большую задержку выключения. В ключевых каскадах с форсирующей емкостью ( см. рис. 3.95) этот недостаток только ослаблен, но не устранен, так как перед выключением / 6 / 6н, и выключение, как и в других схемах, начинается с этапа рассасывания неосновных носителей. Этап рассасывания, а следовательно, и задержку выключения можно было бы устранить, если создать транзистору во включенном состоянии не насыщенный, а активный режим работы. Однако недосред-ственное использование активного режима транзистора в схеме рис. 3.87 вызывает новые трудности. UKI, , что приводит к уменьшению амплитуды выходного импульса и снижению коэффициента / Си, Но этот недостаток не единственный. Более существен тот факт, что UK3 осг зависит от коэффициента усиления В транзистора. Если отпирающий ток / б, создаваемый входным источником мвх ( /), неизменен, то ток / к В16 оказывается прямо пропорционален В. Так как разброс значений В биполярных транзисторов весьма велик, повторяемость выходных параметров ключевого каскада оказывается неудовлетворительной. [20]

Ненасыщенный транзисторный ключ. [21]

В отличие от входного, выходного сигнал ТК имеет только одну полярность, фаза его меняется на я, моменты переключения не совпадают, а фронт и срез имеют конечную длительность. С этой целью параллельно базовому сопротивлению включают форсирующую емкость, позволяющую увеличить токи базы в моменты переключения входного сигнала, в то время как статические токи базы практически не меняются. [22]

Логическая схема НЕ с форсирующей емкостью. [23]

Существует ряд методов, позволяющих уменьшить время включения и выключения транзистора. Известно, что время включения тем меньше, чем больше включающий ток базы и чем лучше частотные свойства транзистора. Поэтому для сокращения времени включения рекомендуется использовать форсирующую емкость во входной цепи транзисторного ключа [13], позволяющую увеличить открывающий ток в процессе переключения. Для устранения задержки при включении осуществляют фиксацию верхнего коллекторного уровня и введение отрицательной обратной связи. [24]

Резисторно-транзисторная логика ( РТЛ) позволяет в одном корпусе получать от одного элемента ИЛИ-НЕ до полусумматора. ТЛ) позволяет повысить быстродействие схемы за счет форсирующих емкостей С. Диодно-транзистор-ная логика ( ДТЛ) обладает возможностью получать в одном корпусе от 2 - х И до 8-ми И-НЕ и универсального триггера. Примерно такие же возможности имеет транзисторная логика с эмиттерными связями ( ТЛЭС); благодаря ненасыщенному режиму работы транзисторов, она еще обеспечивает наиболее высокое быстродействие этих элементов, достигающее нескольких наносекунд. [25]

РТсходя из выражения ( 7 - 0.8), определяется входное сопротивление RN, а уточненное значение коллекторного тока можно получить из выражения ( 7 - 0.7) после выбора и определения других параметров. Этот метод расчета не гарантирует минимальной мощности во всех случаях, и не так ясен и прост, как предшествующий. Кроме того, часто целесообразно обеспечивать достаточный ток базы с помощью включения низкоомных сопротивлений или с помощью форсирующих емкостей, так что рассеяние мощности не является первостепенным соображением расчета. [26]

В момент времени t t2 напряжение и С2 на перезаряжающемся конденсаторе С2 достигает порогового значения. Вследствие этого транзистор TI закрывается. Конденсатор Q ускоряет процессы открывания и закрывания транзистора 7 так же, как это происходит в транзисторном ключе с форсирующей емкостью. Таким образом, в момент t2 происходит обратное опрокидывание ждущего мультивибратора, и устройство возвращается в устойчивое состояние. [27]

Страницы: 1 2