Диффузионная емкость - коллектор
Cтраница 1
Диффузионная емкость коллектора определяется как отношение приращения заряда неосновных носителей в базе к вызвавшему его приращению напряжения на коллекторе при постоянном токе эмиттера. [1]
Диффузионная емкость коллектора связана с изменением полного заряда дырок в базе при модуляции толщины базы. [2]
 |
Зависимости собственных параметров полупроводникового триода от температуры. [3] |
Температурная зависимость диффузионной емкости коллектора связана с изменением Dp, в результате чего с ростом температуры емкость растет. [4]
При помощи диффузионной емкости коллектора Ск д учитывают изменение заряда в базе, обусловленное модуляцией ширины базы. [5]
Формула для расчета диффузионной емкости коллектора (5.155) указывает на то, что с увеличением тока эмиттера она должна возрастать, причем зависимость будет несколько более слабой, чем прямая пропорциональность, из-за роста коэффициента диффузии при больших уровнях инжекции. Увеличение напряжения коллектора приводит к уменьшению диффузионной емкости. [6]
Диффузионные емкости отсутствуют, так как коллекторный переход в активном режиме всегда смещен в обратном направлении, поэтому диффузионная емкость коллектора мала. Эта схема учитывает основные факторы, снижающие быстродействие транзистора, и достаточно точна для приближенного исследования большинства импульсных процессов. [7]
Дифференцируя ( 4 - 62) по напряжению [ 7К ( при / э const), получаем диффузионную емкость коллектора. [8]
Оценка показывает, что в нормальном режиме работы транзистора при расчетах можно пренебречь барьерной емкостью эмиттера по сравнению с диффузионной емкостью эмиттера и диффузионной емкостью коллектора по сравнению с барьерной емкостью коллектора. [9]
Несмотря на то, что условие ( 1 - 106) никогда строго не выполняется в реальных схемах, поскольку 0, с его помощью удается правильно объяснить наличие внутренней обратной связи в триоде, проводимости коллекторного перехода и диффузионной емкости коллектора. [10]
 |
Входная характеристика транзистора, работающего в области отсечки.| Передаточная характеристика транзистора, работающего в области отсечки. [11] |
В импульсном режиме для характеристики переходных процессов, помимо зарядных емкостей коллекторного Сн п и эмиттерного Сэ переходов, используются еще следующие параметры: т и t AN - среднее время пролета носителей через область базы и собственное время задержки транзистора при нормальном включении; тр и тр / - постоянные времени коэффициентов передачи тока базы pw и р /; тн - постоянная времени накопления; Скд - диффузионная емкость коллектора. [12]
Сотни или тысячи пико-фарад и превосходит по величине емкость эмиттерного перехода. Диффузионная емкость коллектора составляет единицы пикофарад и ею, как правило, пренебрегают. [13]
Из простого сравнения величин рабочих напряжений на эмиттере и коллекторе можно сделать вывод о том, что для изменения заряда на одну и ту же величину эмиттерное напряжение необходимо изменять значительно меньше, чем коллекторное напряжение. Это означает, что диффузионная емкость коллектора меньше, чем диффузионная емкость эмиттера. [14]
Из простого сравнения величин рабочих напряжений на эмиттере и на коллекторе можно сделать вывод, что для того, чтобы изменить заряд в базе на одну и ту же величину, изменение эмиттерного напряжения должно быть значительно меньше изменения коллекторного напряжения. А это значит, что диффузионная емкость коллектора должна быть значительно меньше диффузионной емкости эмиттера. Действительно, в то время как диффузионная емкость эмиттера составляет тысячи и в лучшем случае сотни пикофарад, диффузионная емкость коллектора составляет единицы и даже доли пикофарады. [15]
Страницы: 1 2