Диффузионная емкость - коллекторный переход
Cтраница 1
Диффузионная емкость коллекторного перехода существенна в инверсном режиме и режиме насыщения, когда коллекторный переход включен в прямом направлении. Она отражает изменение зарядов неосновных носителей в базе и коллекторе при изменении напряжения на коллекторном переходе. [1]
Диффузионная емкость коллекторного перехода значительно меньше диффузионной емкости эмиттерного перехода. [2]
Диффузионная емкость коллекторного перехода Ско, определяемая как отношение приращения заряда дырок в базе к приращению напряжения t / кв, приложенного к переходу, имеет существенное значение при работе транзистора в инверсном режиме или в режиме насыщения. В активном режиме емкость Ски значительно меньше диффузионной емкости эмиттерного перехода, так как изменение напряжения С / КБ не приводит к изменению заряда инжектируемых носителей, как это происходит в эмиттерном переходе. Величина заряда в базе вблизи коллекторного перехода изменяется лишь вследствие модуляции ширины базы. [3]
 |
Вытеснение тока базы к краю эмиттера. [4] |
В эквивалентной схеме диффузионная емкость коллекторного перехода включается параллельно СК1 в результате чего эффективная постоянная времени тк Гб ( Ск СКд), входящая в приведенные выше формулы, возрастает, но сами формулы останутся вполне пригодными для расчетов. Однако в расчеты при этом должна входить постоянная времени т в соответствующем режиме. [5]
В рассмотренной модели транзистора предполагалось, что диффузионная емкость коллекторного перехода не влияет на коэффициент обратной передачи и не разбиралась зависимость г ьСк от от геометрических размеров и легирования областей транзисторной структуры. [6]
Следует заметить, что при этом формируется диффузионная емкость коллекторного перехода Сдиф. [7]
Емкость коллекторного перехода в основном определяется барьерной емкостью, так как коллекторный переход смещен в обратном направлении и диффузионная емкость коллекторного перехода пренеб-брежимо мала. [8]
Вследствие временной задержки за счет конечной скорости движения носителей в области базы на эмиттерном р-п-переходе действует так называемая диффузионная динамическая емкость, которая может достигать по величине нескольких сотен пикофа-рад. Диффузионная емкость коллекторного перехода во много раз меньше и составляет обычно доли пикофарады. Это объясняется гораздо большими скоростями носителей на коллекторном переходе вследствие больших напряжений, прикладываемых к нему. [9]
После достижения коллекторным током значения / кнас переходный процесс в транзисторе еще не заканчивается, так как транзистор переходит в режим насыщения и база продолжает накапливать дополнительный избыточный заряд Q36. Следует заметить, что при этом формируется диффузионная емкость коллекторного перехода Сдиф. [10]
 |
Вытеснение тока базы к краю эмиттера. [11] |
Несколько большее значение при больших токах эмиттера приобретают диффузионные параметры выходной цепи. Выходная диффузионная проводимость растет пропорционально току, поэтому диффузионная емкость коллекторного перехода, которая при малых токах эмиттера пренебрежимо мала по сравнению с зарядной емкостью перехода, может при больших токах стать сравнимой с зарядной или даже превысить ее. [12]
Кроме емкости переходов, эмиттер и коллектор имеют диффузионные составляющие емкости. Диффузионная емкость прямо пропорциональна величине тока эмиттера и имеет для массовых сплавных транзисторов в обычном режиме питания величину порядка Сэ 2000 - 20000 пф. Поэтому емкость эмиттерной цепи Сэ и определяется этой составляющей. Диффузионная емкость коллекторного перехода в сплавных транзисторах составляет единицы пикофарад, а емкость коллекторного перехода - десятки пикофарад, следовательно, емкость коллекторной цепи, в основном, определяется емкостью коллекторного перехода. [13]
Страницы: 1