Параметрический модулятор

Cтраница 1

Параметрический модулятор нагружен на индукционный коммутатор; на высоких частотах эквивалентная схема может быть представлена в виде, изображенном на рис. 14.17, где r ( f) - сопротивление модулятора, L ( t) - индуктивность коммутатора, R - сопротивление потерь, С - межвитковая емкость, изменением которой можно пренебречь. [1]

Параметрические модуляторы применяются почти исключительно с согласующими трансформаторами. Поэтому настройкой в резонанс первичной обмотки удается существенно снизить уровень высших гармоник в выходном сигнале, который оказывается даже меньше уровня полезного сигнала, соответствующего чувствительности модулятора. [2]

Параметрический модулятор нагружен на индукционный коммутатор; на высоких частотах эквивалентная схема может быть представлена в виде, изображенном на рис. 14.17, где r ( t) - сопротивление модулятора, L ( t) - индуктивность коммутатора, К - сопротивление потерь, С - межвитковая емкость, изменением которой можно пренебречь. [3]

В параметрических модуляторах элементы преобразования устанавливаются параллельно датчику, поэтому одной из важнейших характеристик полупроводникового конденсатора является его полное сопротивление. [4]

Электрическая цепь параметрического модулятора изображена на рис. 14.15; график изменения r ( t) изображен на рис. 14.1, a; гт. Индуктивность трансформатора связи принимается постоянной, L ОД гн. [5]

При конструиров ании параметрических модуляторов следует иметь в виду, что труднее всего получить приемлемую величину дрейфа нуля. В то время как пороговое напряжение, которое способен обнаружить параметрический модулятор, приближается к уровню 10 мкв, мощность сигнала составляет 10 - em, смещение нуля и его дрейф достигают сотен микровольт, если не принять специальных мер по уменьшению дрейфа. Основной причиной дрейфа нуля является неидентичность температурных характеристик полупроводниковых конденсаторов в разных плечах мостовых схем. При исследовании различных схем модуляторов оказывается, что если не обеспечить одинакового температурного режима полупроводниковых конденсаторов, даже подобранных по температурным характеристикам, на выходе модулятора появится ложный сигнал. Так бывает, когда стабилитроны модулятора монтируются на открытых платах, на сравнительно больших расстояниях друг от друга. [6]

Наконец, при использовании параметрических модуляторов совершенно необходимо иметь в виду их специфику в части очень больших величин входного сопротивления. Для нормальной работы модуляторов и следующего за ними усилителя должны быть приняты меры по тщательному экранированию самого модулятора и его входных цепей и, особенно, сигнальной линии. Сам модулятор должен быть экранирован как электромагнитным, так и электростатическим экранами. [7]

Одной из важнейших характеристик параметрических модуляторов является входное сопротивление. [8]

Наилучшие результаты получаются при использовании параметрических модуляторов с термостатированными полупроводниковыми конденсаторами. В настоящее время разработано большое количество миниатюрных полупроводниковых термостатов, принцип работы которых основан на использовании эффекта Пельтье. [9]

Прежде чем перейти к рассмотрению схем параметрических модуляторов и их характеристик, следует еще раз вернуться к рис. 6 - 2, на котором показана емкостная характеристика полупроводникового конденсатора, и к рис. 6 - 3 с характеристикой его сопротивления. Выше уже говорилось о том, что наилучшей рабочей точкой полупроводникового конденсатора является нулевое напряжение смещения. [10]

Очень неблагополучно обстоит дело с входным сопротивлением параметрических модуляторов при повышении температуры, так как сопротивление перехода Rm с увеличением температуры резко уменьшается, примерно вдвое на каждые 10 С. [11]

Модулятор с индуК тивной нагрузкой. [12]

На рис. 6 - 5 показана схема параметрического модулятора, в котором элементы преобразования по входному сигналу включены встречно. Это дает возможность получить входное сопротивление значительно большей величины, чем в предыдущем случае. [13]

Для приборов центральной части системы наиболее приемлемыми типами модуляторов являются высокоомный параметрический модулятор на варикапах и низкоомный ключевой модулятор на транзисторе. [14]

Графики, поясняющие получение амплитудномодулированного колебания при параметрической модуляции. [15]

Страницы: 1 2 3