Модуляция - сопротивление
Cтраница 1
Модуляция сопротивления п - области тиристора инжектированными носителями как со стороны затвора ( для нормально закрытых структур), так и со стороны анодного р - л - - перехода приводит к появлению в данном слое обоих типов носителей. [1]
 |
Изменение статических характеристик передачи и по.| Выходные статические характеристики ( а и стати. [2] |
Модуляция сопротивления проводящего канала МДП-транзистора может происходить при изменении напряжения на затворе как положительной, так и отрицательной полярности. [3]
 |
Воронка для испытания угольного порошка на текучесть. [4] |
Нормальная глубина модуляции сопротивления порошка в процентах МП измеряется прибором для определения модуляции сопротивления порошка и вычисляется отношением эффективного значения эдс испытательной ячейки, наполненной испытуемым порошком, к напряжению питания, подведенному к выводам ячейки, при наличии заданных синусоидальных механических колебаний подвижного электрода. Испытательная ячейка для измерения модуляции сопротивления порошка Мп имеет: внутреннюю часть в виде параллелепипеда для засыпания угольного порошка, неподвижной Эн и подвижной Эп электроды, причем последний присоединяется к вибратору ( механическому генератору), и корпус К, изолированный от порошка и электродов. Подвижный электрод Эп соприкасается с корпусом через уплотнитель У. [5]
 |
Однопереходный транзистор. [6] |
Очевидно, что модуляция сопротивления области базы будет тем больше, чем больше площадь эмиттера. [7]
 |
Схема релаксационного генератора на лавинных транзисторах.| Временные диаграммы напряжения коллектора и тока эмиттера. [8] |
Работа однопереходного транзистора основана на модуляции сопротивления полупроводника, вызванной инжекцией носителей р-п-перехода. [9]
Усилительные свойства полевого транзистора определяются глубиной модуляции сопротивления между стоком и истоком. Это сопротивление называется обычно сопротивлением канала RK. Для получения заметной модуляции ширина бруска и ширина области объемного заряда должны быть сравнимы. [10]
Переключающие свойства p - i - n диодов основаны на модуляции сопротивления высокоомного ( близкого к собственному) слоя, заключенного между сильнолегированными областями р - и а-типа, за счет инжекции носителей из этих областей. При отрицательном смещении диод представляет собой большое сопротивление, шунтированное емкостью перехода. При положительном ( прямом) смещении диод представляет собой малое активное сопротивление. [11]
Усилительные свойства такого транзистора будут, очевидно, определяться глубиной модуляции сопротивления участка б - б2 - Поэтому необходимо, чтобы ширина бруска была соизмерима с шириной перехода. Кроме того, удельное сопротивление материала бруска должно быть достаточно высоким, так как высокоомньщ материал обеспечивает максимальную ширину перехода и максимальные изменения ширины с изменением напряжения. [12]
Особенностью магниторезисторных датчиков, включенных в пер-маллоевые продвигающие схемы, является модуляция сопротивления датчика ( рис. 15.20, г) с двойной частотой за счет циклического изменения угла ср, как это следует из (15.10), происходящего под действием йращающегося поля Ну. [13]
Особенностью магниторезисторных датчиков, включенных в пер-маллоевые продвигающие схемы, является модуляция сопротивления датчика ( рис. 15.20, г) с двойной частотой за счет циклического изменения угла ф, как это следует из (15.10), происходящего под действием вращающегося поля Ну. [14]
 |
Испытательная ячейка.| Схема для измерения нормальной глубины модуляции сопротивления угольного порошка. [15] |
Страницы: 1 2 3 4