Модуляция - сопротивление - база
Cтраница 1
Модуляция сопротивления базы из-за появления накопленного заряда отсутствует. [1]
Этот процесс модуляции сопротивления базы происходит не мгновенно, так как накопление дырок в базе диода связано с относительно медленным процессом диффузии их от p - n - перехода в глубь базы. [2]
Этот процесс модуляции сопротивления базы происходит не мгновенно, так как накопление дырок в базе диода связано с относительно медленным процессом диффузии их от р-п-пе-рехода в глубь базы. [3]
Этот процесс модуляции сопротивления базы происходит не мгновенно, так как накопление дырок в базе диода связано с относительно медленным процессом диффузии их от / - п-перехода в глубь базы. [4]
Этот процесс модуляции сопротивления базы происходит не мгновенно, так как накопление дырок в базе диода связано с относительно медленным процессом диффузии их от p - n - перехода в глубь базы. [5]
Так как процессы модуляции сопротивления широкой базы и лавинного нарастания тока протекают одновременно, то их разделение представляет значительные трудности. [6]
Если не учитывать модуляцию сопротивления базы ( § 2.5), получим зависимость U ( t), показанную штриховой линией. Процессы модуляции сопротивления базы, а вместе с ним и установления прямого напряжения завершаются за время примерно равное эффективному времени жизни неосновных носителей в базе. [7]
При больших выходных токах из-за модуляции сопротивления базы уменьшается коэффициента инжекции. [8]
При высоком уровне инжекции (2.9) наблюдается эффект модуляции сопротивления базы - уменьшение ГБ с ростом тока из-за увеличения концентрации носителей в базе. [9]
 |
Эквивалентная схема диода.| Временные диаграммы напряжения при прохождении через диод прямоугольного импульса тока. [10] |
Изменение сопротивления базы при заполнении ее носителями заряда называют модуляцией сопротивления базы. [11]
Однопереходные транзисторы являются приборами, принцип действия которых основан на модуляции сопротивления базы инжектированными носителями. [12]
 |
Распределение токов в базе длинного ( а и тонкого ( б вен-тилей при высоких уровнях инжекции. [13] |
Уменьшение сопротивления базы с увеличением уровня инжекции носит название эффекта модуляции сопротивления базы. Он существенно изменяет распределение токов в базе. [14]
Поэтому при аналитических исследованиях блокинг-генераторов для импульсов длительностью больше десятков микросекунд пренебрежение модуляцией сопротивления базы приводит к неудовлетворительной точности расчета. [15]
Страницы: 1 2 3 4